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1. (WO2007087831) SUSPENSION CMP ÉCRAN 'UNIVERSELLE' UTILISABLE AVEC DES DIÉLECTRIQUES INTERCOUCHES À FAIBLE CONSTANTE DIÉLECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/087831    N° de la demande internationale :    PCT/EP2006/002851
Date de publication : 09.08.2007 Date de dépôt international : 03.02.2006
CIB :
H01L 21/768 (2006.01), H01L 21/3105 (2006.01), C09G 1/00 (2006.01), B24B 57/02 (2006.01)
Déposants : FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, TX 78735 (US) (Tous Sauf US).
FARKAS, Janos [US/FR]; (FR) (US Seulement).
MONNOYER, Philippe [BE/FR]; (FR) (US Seulement).
SMITH, Brad [US/FR]; (FR) (US Seulement).
ZALESKI, Mark [US/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : FARKAS, Janos; (FR).
MONNOYER, Philippe; (FR).
SMITH, Brad; (FR).
ZALESKI, Mark; (FR)
Mandataire : WHARMBY, Martin, Angus; c/o Impetus IP Ltd, Grove House, Lutyens Close, Chineham Court, Basingstoke, Hampshire RG24 8AG (GB)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) 'UNIVERSAL' BARRIER CMP SLURRY FOR USE WITH LOW DIELECTRIC CONSTANT INTERLAYER DIELECTRICS
(FR) SUSPENSION CMP ÉCRAN 'UNIVERSELLE' UTILISABLE AVEC DES DIÉLECTRIQUES INTERCOUCHES À FAIBLE CONSTANTE DIÉLECTRIQUE
Abrégé : front page image
(EN)During processing of a semiconductor wafer bearing a structure including a low-k dielectric layer (120), a cap layer (130) and the metal-diffusion barrier layer (140), a chemical mechanical polishing method applied to remove the metal-diffusion barrier material (140) involves two phases. In the second phase of the barrier-CMP method, when the polishing interface is close to the low-k dielectric material (120), the polishing conditions are changed so as to be highly selective, producing a negligible removal rate of the low-k dielectric material (120). The polishing conditions can be changed in a number of ways including: changing parameters of the composition of the barrier slurry composition, and mixing an additive into the barrier slurry.
(FR)Pendant le traitement d'une plaquette semi-conductrice comportant une structure comprenant une couche diélectrique à faible k (120), une couche de protection (130) et la couche d'écran de diffusion métallique (140), le procédé de polissage chimicomécanique appliqué selon l'invention pour retirer le matériau écran de diffusion métallique (140) comporte deux phases. Dans la seconde phase du procédé CMP écran, lorsque l'interface de polissage est proche du matériau diélectrique à faible K (120), les conditions de polissage sont modifiées de façon à être hautement sélectives, produisant un taux de retrait négligeable du matériau diélectrique à faible k (120). Les conditions de polissage peuvent être modifiées d'un certain nombre de façons consistant : à modifier les paramètres de la composition de la composition de suspension écran, et à mélanger un additif dans la suspension écran.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)