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1. (WO2007087589) FORMATION DE CARBURE DE SILICIUM PAR IMPULSIONS ALTERNATIVES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/087589    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/061022
Date de publication : 02.08.2007 Date de dépôt international : 25.01.2007
CIB :
C30B 23/00 (2006.01)
Déposants : CARACAL, INC. [US/US]; 611 Eljer Way, Ford City, PA 16226 (US) (Tous Sauf US).
KORDINA, Olof Claes Erik [SE/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KORDINA, Olof Claes Erik; (US)
Mandataire : KLUGER, Joan T.; Schnader Harrison Segal & Lewis LLP, 1600 Market Street, Suite 3600, Philadelphia, PA 19103 (US)
Données relatives à la priorité :
11/341,357 26.01.2006 US
Titre (EN) SILICON CARBIDE FORMATION BY ALTERNATING PULSES
(FR) FORMATION DE CARBURE DE SILICIUM PAR IMPULSIONS ALTERNATIVES
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming silicon carbide wherein silicon and carbon precursors are successively pulsed into a reactor in the gas phase. The precursors react to form silicon carbide before reaching the growth surface. A precursor will be preheated in the reaction chamber before reacting with the other precursor. The formed silicon carbide sublime then condenses on a growth surface.
(FR)La présente invention concerne un procédé pour former un carbure de silicium dans lequel des précurseurs de silicium et de carbone sont successivement impulsés dans un réacteur dans la phase gazeuse. Les précurseurs réagissent pour former un carbure de silicium avant d'atteindre la surface de croissance. Un précurseur sera préchauffé dans la chambre de réaction avant de réagir avec l'autre précurseur. Le sublimé de carbure de silicium formé se condense ensuite sur une surface de croissance.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)