WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2007087249) ENCAPSULATION NIVEAU PLAQUETTE POUR PUCES À COUVERCLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/087249    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/001608
Date de publication : 02.08.2007 Date de dépôt international : 22.01.2007
CIB :
H01L 23/10 (2006.01), H01L 21/50 (2006.01), B81C 1/00 (2006.01), B81B 7/00 (2006.01)
Déposants : TESSERA TECHNOLOGIES HUNGARY KFT. [HU/HU]; c/o TMF Hungary LTD, Wesselenyi u. 16, H-1077 Budapest (HU) (Tous Sauf US).
HUMPSTON, Giles [GB/GB]; (US) (US Seulement).
NYSTROM, Michael, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
OGANESIAN, Vage [IL/CA]; (US) (US Seulement).
AKSENTON, Yulia [IL/IL]; (US) (US Seulement).
AVSIAN, Osher [IL/IL]; (US) (US Seulement).
BURTZLAFF, Robert [US/US]; (US) (US Seulement).
DAYAN, Avi [IL/IL]; (US) (US Seulement).
GRINMAN, Andrey [IL/IL]; (US) (US Seulement).
HAZANOVICH, Felix [IL/IL]; (US) (US Seulement).
HECHT, Ilya [IL/IL]; (US) (US Seulement).
ROSENSTEIN, Charles [IL/IL]; (US) (US Seulement).
OVRUTSKY, David [IL/IL]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HUMPSTON, Giles; (US).
NYSTROM, Michael, J.; (US).
OGANESIAN, Vage; (US).
AKSENTON, Yulia; (US).
AVSIAN, Osher; (US).
BURTZLAFF, Robert; (US).
DAYAN, Avi; (US).
GRINMAN, Andrey; (US).
HAZANOVICH, Felix; (US).
HECHT, Ilya; (US).
ROSENSTEIN, Charles; (US).
OVRUTSKY, David; (US)
Mandataire : DAVID, Sidney; Lerner, David, Littenberg, Krumholz & Mentlik, LLP, 600 South Avenue West, Westfield, NJ 07090 (US)
Données relatives à la priorité :
60/761,171 23.01.2006 US
60/775,086 21.02.2006 US
11/655,739 19.01.2007 US
Titre (EN) WAFER LEVEL PACKAGING TO LIDDED CHIPS
(FR) ENCAPSULATION NIVEAU PLAQUETTE POUR PUCES À COUVERCLE
Abrégé : front page image
(EN)Methods are provided for making a plurality of lidded microelectronic elements (112). In an exemplary embodiment, a lid wafer (11) is assembled with a device wafer (10). Desirably, the lid wafer (11) is severed into a plurality of lid elements (40) to remove portions (46) of the lid wafer (11) overlying contacts (18) at a front face (26) of the device wafer (10) adjacent to dicing lanes (19) of the device wafer (10). Thereafter, desirably, the device wafer (10) is severed along the dicing lanes (19) to provide a plurality of lidded microelectronic elements (112).
(FR)L'invention concerne des procédés de fabrication de plusieurs éléments micro-électroniques à couvercle (112). Dans un mode de réalisation indiqué à titre d'exemple, une plaquette à couvercle (119 est assemblé à une plaquette de dispositif (10). De préférence, ladite plaquette à couvercle (11) est coupée en plusieurs éléments de couvercle (40) afin de retirer des parties (46) de la plaquette à couvercle (11) recouvrant des contacts (18) au niveau d'une face avant (26) de la plaquette (10) du dispositif adjacente aux lignes de découpe (19) de la plaquette (10) du dispositif. Ainsi, la plaquette (10) du dispositif est coupée le long des lignes de découpe (19) afin de produire une pluralité d'éléments micro-électroniques à couvercle (112).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)