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1. (WO2007087210) SOURCE D'IONS PAR IMMERSION DE PLASMA AVEC UNE FAIBLE TENSION D'ANTENNE EFFICACE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/087210    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/001234
Date de publication : 02.08.2007 Date de dépôt international : 17.01.2007
CIB :
H01J 37/32 (2006.01)
Déposants : VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road, Gloucester, MA 01930 (US) (Tous Sauf US).
PERSING, Harold, M. [US/US]; (US) (US Seulement).
SINGH, Vikram [US/US]; (US) (US Seulement).
WINDER, Edmund, Jacques [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : PERSING, Harold, M.; (US).
SINGH, Vikram; (US).
WINDER, Edmund, Jacques; (US)
Mandataire : FABER, Scott, R.; Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc., 35 Dory Road, Gloucester, MA 01930-2297 (US)
Données relatives à la priorité :
60/761,518 24.01.2006 US
11/617,785 29.12.2006 US
Titre (EN) PLASMA IMMERSION ION SOURCE WITH LOW EFFECTIVE ANTENNA VOLTAGE
(FR) SOURCE D'IONS PAR IMMERSION DE PLASMA AVEC UNE FAIBLE TENSION D'ANTENNE EFFICACE
Abrégé : front page image
(EN)A plasma source (100) includes a chamber (102) that contains a process gas. The chamber includes a dielectric window (120, 122) that passes electromagnetic radiation. A RF power supply (130) generates a RF signal. At least one RF antenna (126, 128) with a reduced effective antenna voltage is connected to the RF power supply (130) . The at least one RF antenna (126, 128) is positioned proximate to the dielectric window (120, 122) so that the RF signal electromagnetically couples into the chamber to excite and ionize the process gas, thereby forming a plasma in the chamber (102) .
(FR)La source de plasma (100) selon l'invention comprend un réacteur (102) qui contient un gaz de traitement. Le réacteur comprend une fenêtre diélectrique (120, 122) qui laisse passer les rayonnements électromagnétiques. Une alimentation en énergie RF (130) génère un signal RF. Au moins une antenne RF (126, 128) avec une tension d'antenne efficace et réduite est connectée à l'alimentation en énergie RF (130). La ou les antennes RF (126, 128) sont positionnées à proximité de la fenêtre diélectrique (120, 122) de sorte que le signal RF se couple de façon électromagnétique dans le réacteur pour exciter et ioniser le gaz de traitement, ' générant ainsi un plasma dans le réacteur (102).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)