WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2007086857) DISPOSITIF DE DÉCHARGE À MICRO-CAVITÉS EXCITÉES PAR COURANT ALTERNATIF ET PROCÉDÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/086857    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/002932
Date de publication : 02.08.2007 Date de dépôt international : 24.01.2006
CIB :
H01J 1/62 (2006.01)
Déposants : THE BOARD OF TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF ILLINOIS [US/US]; 506 South Wright Street, 352 Henry Administration Building, Urbana, IL 61801 (US) (Tous Sauf US).
EDEN, J. Gary [US/US]; (US) (US Seulement).
CHEN, Kuo-Feng [--/US]; (US) (US Seulement).
OSTROM, Nels, P. [US/US]; (US) (US Seulement).
PARK, Sung-Jin [KR/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : EDEN, J. Gary; (US).
CHEN, Kuo-Feng; (US).
OSTROM, Nels, P.; (US).
PARK, Sung-Jin; (US)
Mandataire : FALLON, Steven, P.; Greer, Burns & Crain, Ltd., 300 S. Wacker Drive - Suite 2500, Chicago, IL 60606 (US)
Données relatives à la priorité :
11/042,228 25.01.2005 US
Titre (EN) AC-EXCITED MICROCAVITY DISCHARGE DEVICE AND METHOD
(FR) DISPOSITIF DE DÉCHARGE À MICRO-CAVITÉS EXCITÉES PAR COURANT ALTERNATIF ET PROCÉDÉ
Abrégé : front page image
(EN)A method for fabricating microcavity discharge devices and arrays of devices. The devices are fabricated by layering a dielectric (1020, 220) on a first conducting layer or substrate (210, 1010). A second conducting layer or structure is overlaid on the dielectric layer. In some devices, a microcavity (1040, 212) is created that penetrates the second conducting layer or structure and the dielectric layer. In other devices, the microcavity penetrates to the first conducting layer. The second conducting layer or structure together with the inside face of the microcavity is overlaid with a second dielectric layer. The microcavities are then filled with a discharge gas. When a time- varying potential of the appropriate magnitude is applied between the conductors, a microplasma discharge is generated in the microcavity. These devices can exhibit extended lifetimes since the conductors are encapsulated, shielding the conductors from degradation due to exposure to the plasma. Some of the devices are flexible and the dielectric can be chosen to act as a mirror.
(FR)La présente invention concerne un procédé permettant la fabrication de dispositifs de décharge à micro-cavités et de réseaux de dispositifs. Les dispositifs sont fabriqués par la formation d'une couche diélectrique (1020, 220) sur une première couche ou substrat conductrice/conducteur (210, 1010). Une seconde couche ou structure conductrice est superposée à la couche diélectrique. Dans certains dispositifs, une micro-cavité (1040, 212) est formée qui pénètre jusqu'à la seconde couche ou structure conductrice et la couche diélectrique. Dans d'autres dispositifs, la micro-cavité pénètre jusqu'à la première couche conductrice. La seconde couche ou structure conductrice conjointement avec la face interne de la micro-cavité est recouverte d'une seconde couche diélectrique. Les micro-cavités sont ensuite remplies d'un gaz de décharge. Lorsqu'un potentiel variable dans le temps d'amplitude appropriée est appliquée entre les conducteurs, une décharge de microplasma est générée dans la micro-cavité. Ces dispositifs peuvent présenter des durées de vie prolongées étant donné que les conducteurs sont encapsulés, protégeant les conducteurs contre la dégradation due à l'exposition au plasma. Certains des dispositifs sont flexibles et le diélectrique peut être choisi pour servir de miroir.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)