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1. (WO2007086534) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP ORGANIQUE ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/086534    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/051323
Date de publication : 02.08.2007 Date de dépôt international : 22.01.2007
CIB :
H01L 51/30 (2006.01), C07D 209/88 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/40 (2006.01)
Déposants : SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP) (Tous Sauf US).
FURUKAWA, Shinobu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
IMAHAYASHI, Ryota; (US Seulement).
KATO, Kaoru; (US Seulement)
Inventeurs : FURUKAWA, Shinobu; (JP).
IMAHAYASHI, Ryota; .
KATO, Kaoru;
Données relatives à la priorité :
2006-017431 26.01.2006 JP
Titre (EN) ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP ORGANIQUE ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)It is an object to provide an organic field effect transistor including an electrode which can reduce an energy barrier at an interface between a conductive layer and a semiconductor layer, and a semiconductor device including the organic field effect transistor. A composite layer containing an organic compound and an inorganic compound is provided in at least part of one of a source electrode and a drain electrode in an organic field effect transistor, and as the organic compound, a carbazole derivative represented by the general formula (1) is used. By providing the composite layer in at least part of one of the source electrode and the drain electrode, an energy barrier at an interface between a conductive layer and a semiconductor layer can be reduced.
(FR)La présente invention concerne un transistor à effet de champ organique comportant une électrode qui permet de réduire une barrière d’énergie à une interface entre une couche conductrice et une couche semi-conductrice, et un dispositif semi-conducteur comportant le transistor à effet de champ organique. Une couche composite contenant un composé organique et un composé inorganique est implantée dans au moins une partie d'une électrode de source et/ou d'une électrode de drain dans un transistor à effet de champ organique, et un dérivé du carbazole représenté par la formule générale (1) est utilisé comme composé organique. L’implantation de la couche composite dans au moins une partie de l'électrode de source et/ou de l'électrode de drain permet de réduire une barrière d'énergie à une interface entre une couche conductrice et une couche semi-conductrice.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)