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1. (WO2007086521) CELLULE SOLAIRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/086521    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/051302
Date de publication : 02.08.2007 Date de dépôt international : 26.01.2007
CIB :
H01L 31/04 (2006.01)
Déposants : HONDA MOTOR CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Minami-Aoyama 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1078556 (JP) (Tous Sauf US).
AOKI, Satoshi; (US Seulement)
Inventeurs : AOKI, Satoshi;
Mandataire : OGURI, Shohei; Eikoh Patent Office 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-019969 30.01.2006 JP
Titre (EN) SOLAR CELL AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) CELLULE SOLAIRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 太陽電池およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A cell (10) (unit cell) to serve as a unit is composed of a lower electrode layer (2) (Mo electrode layer) formed on a texture substrate (1) having a rough surface, a light-absorbing layer (3) (CIGS light-absorbing layer) containing copper, indium, gallium, and selenium, a high-resistance buffer layer thin film (4) formed of InS, ZnS, CdS, and so forth, on the light-absorbing layer (3), and an upper electrode layer (5) (TCO) formed of ZnOAl and so forth. To connect such unit cells (10) in series, a contact electrode section (6) connecting the upper and lower electrode layers (5, 2) is formed. The Cu/In ratio of the contact electrode section (6) is higher than that of the light-absorbing layer (3), that is, the contact electrode section (6) contains less In. Therefore, the contact electrode section (6) exhibits characteristics of p+(plus) type or a conductor with respect to the light-absorbing layer (3) of a p-type semiconductor.
(FR)La présente invention concerne une cellule(10) (cellule unitaire) utilisée sous la forme d'une unité constituée d'une couche électrode inférieure (2) (couche électrode Mo) formée sur un substrat texturé (3) présentant une surface rugueuse, une couche d'absorption de lumière (3) (couche d'absorption de lumière CIGS), contenant du cuivre, de l'indium, du gallium, et du sélénium, une couche tampon de film mince à haute résistance (4) formée d'InS, de ZnS, CdS et analogues, sur la couche d'absorption de lumière (3) et une couche électrode supérieure (6) formée de ZnOAl et analogue. Pour la connexion en série de telles cellules unitaires (10), une section d'électrode de contact (6) reliant les couches électrodes supérieure et inférieure (5, 2) est formée. Le rapport Cu/In de la section d'électrode de contact (6) est supérieur à celui de la couche d'absorption de lumière (3), c'est à dire, la section d'électrode de contact contient moins d'In. Par conséquent, la section d'électrode de contact (6) présente des caractéristiques de type p+ (positif) d'un conducteur par rapport à la couche d'absorption de lumière (3) d'un semi-conducteur de type p
(JA) 表面に凹凸が形成されたテクチャ基板1上に形成された下部電極層2(Mo電極層)と、銅・インジウム・ガリウム・セレンを含む光吸収層3(CIGS光吸収層)と、光吸収層3の上に、InS、ZnS、CdS等で形成される高抵抗のバッファ層薄膜4と、ZnOAl等で形成される上部電極層5(TCO)とから1つの単位となるセル10(単位セル)が形成され、さらに、複数の単位セル10を直列接続する目的で、上部電極層5と下部電極層2とを接続するコンタクト電極部6が形成される。このコンタクト電極部6は、後述するように、光吸収層3のCu/In比率よりも、Cu/In比率が大きく、言い換えると、Inが少なく構成されており、p型半導体である光吸収層3に対してp+(プラス)型もしくは導電体の特性を示している。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)