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1. WO2007086424 - ABSORBEUR D’INFRAROUGE ET DÉTECTEUR INFRAROUGE THERMIQUE

Numéro de publication WO/2007/086424
Date de publication 02.08.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2007/051085
Date du dépôt international 24.01.2007
CIB
G01J 1/02 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
JMESURE DE L'INTENSITÉ, DE LA VITESSE, DU SPECTRE, DE LA POLARISATION, DE LA PHASE OU DES CARACTÉRISTIQUES D'IMPULSIONS DE LUMIÈRE INFRAROUGE, VISIBLE OU ULTRAVIOLETTE; COLORIMÉTRIE; PYROMÉTRIE DES RADIATIONS
1Photométrie, p.ex. posemètres photographiques
02Parties constitutives
G01J 1/04 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
JMESURE DE L'INTENSITÉ, DE LA VITESSE, DU SPECTRE, DE LA POLARISATION, DE LA PHASE OU DES CARACTÉRISTIQUES D'IMPULSIONS DE LUMIÈRE INFRAROUGE, VISIBLE OU ULTRAVIOLETTE; COLORIMÉTRIE; PYROMÉTRIE DES RADIATIONS
1Photométrie, p.ex. posemètres photographiques
02Parties constitutives
04Pièces optiques ou mécaniques
H01L 27/14 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
H01L 35/32 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
35Dispositifs thermoélectriques comportant une jonction de matériaux différents, c. à d. présentant l'effet Seebeck ou l'effet Peltier, avec ou sans autres effets thermoélectriques ou thermomagnétiques; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
28fonctionnant exclusivement par effet Peltier ou effet Seebeck
32caractérisés par la structure ou la configuration de la cellule ou du thermo-couple constituant le dispositif
B32B 7/02 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
32PRODUITS STRATIFIÉS
BPRODUITS STRATIFIÉS, c. à d. FAITS DE PLUSIEURS COUCHES DE FORME PLANE OU NON PLANE, p.ex. CELLULAIRE OU EN NID D'ABEILLES
7Produits stratifiés caractérisés par la relation entre les couches; Produits stratifiés caractérisés par l’orientation relative des éléments caractéristiques entre les couches, ou par les valeurs relatives d’un paramètre mesurable entre les couches, c. à d. produits comprenant des couches ayant des propriétés physiques, chimiques ou physicochimiques différentes; Produits stratifiés caractérisés par la jonction entre les couches
02Propriétés physiques, chimiques ou physicochimiques
B32B 9/00 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
32PRODUITS STRATIFIÉS
BPRODUITS STRATIFIÉS, c. à d. FAITS DE PLUSIEURS COUCHES DE FORME PLANE OU NON PLANE, p.ex. CELLULAIRE OU EN NID D'ABEILLES
9Produits stratifiés composés essentiellement d'une substance particulière non couverte par les groupes B32B11/-B32B29/155
CPC
G01J 5/04
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRA-RED, VISIBLE OR ULTRA-VIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
5Radiation pyrometry
02Details
04Casings ; Mountings
G01J 5/046
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRA-RED, VISIBLE OR ULTRA-VIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
5Radiation pyrometry
02Details
04Casings ; Mountings
046Materials; Selection of thermal materials
G01J 5/08
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRA-RED, VISIBLE OR ULTRA-VIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
5Radiation pyrometry
02Details
08Optical features
G01J 5/0853
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRA-RED, VISIBLE OR ULTRA-VIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
5Radiation pyrometry
02Details
08Optical features
0803Optical elements not provided otherwise, e.g. optical manifolds, gratings, holograms, cubic beamsplitters, prisms, particular coatings
0853using infrared absorbers other than the usual absorber layers deposited on infrared detectors like bolometers, wherein the heat propagation between the absorber and the detecting element occurs within a solid
G01J 5/12
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRA-RED, VISIBLE OR ULTRA-VIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
5Radiation pyrometry
10using electric radiation detectors
12using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
H01L 27/14669
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14665Imagers using a photoconductor layer
14669Infra-red imagers
Déposants
  • 浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 尾島 史一 OJIMA, Fumikazu [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 鈴木 順 SUZUKI, Jun [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 北浦 隆介 KITAURA, Ryusuke [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 尾島 史一 OJIMA, Fumikazu
  • 鈴木 順 SUZUKI, Jun
  • 北浦 隆介 KITAURA, Ryusuke
Mandataires
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA, Yoshiki
Données relatives à la priorité
2006-01673325.01.2006JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) INFRARED ABSORBER AND THERMAL INFRARED DETECTOR
(FR) ABSORBEUR D’INFRAROUGE ET DÉTECTEUR INFRAROUGE THERMIQUE
(JA) 赤外線吸収体および熱型赤外線検出器
Abrégé
(EN)
An infrared absorbing film (2) comprises a TiN-containing first layer (21) and an Si-based compound-containing second layer (22) and functions to convert infrared energy introduced from a second layer (22) side to heat. TiN has high infrared ray absorption in a wavelength range below 8 μm, but on the other hand, has high infrared ray reflectance in a wavelength range above 8 μm. Accordingly, stacking an Si-based compound layer having good infrared ray absorption in a long wavelength range onto a TiN layer can realize suitable infrared ray absorption in a wavelength range, which is low in absorption in the TiN layer, in the Si-based compound layer and, at the same time, can realize reflection of infrared rays, which is about to be passed through the Si-based compound layer, from the interface of the TiN layer and the Si-based compound layer to return the infrared rays to the Si-based compound layer.
(FR)
Le film absorbant infrarouge (2) selon l'invention comprend une première couche contenant du TiN (21) et une seconde couche contenant un composé à base de Si (22) et sert à convertir l’énergie infrarouge introduite à partir d’une seconde couche (22) en chaleur. Le TiN possède une absorption élevée des rayons infrarouges dans une plage de longueur d’onde inférieure à 8 µm, mais d’autre part, possède une réflectance élevée des rayons infrarouges dans une plage de longueur d’onde supérieure à 8 µm. En conséquence, l’empilage d’une couche de composé à base de Si présentant une bonne absorption des rayons infrarouges dans une longue plage de longueur d’onde sur une couche de TiN permet d’atteindre une absorption adéquate des rayons infrarouges dans une plage de longueur d’onde, de faible absorption dans la couche de TiN, dans la couche de composé à base de Si et, en même temps, permet de réfléchir les rayons infrarouges, allant passer à travers la couche composée à base de Si, à partir de l’interface de la couche de TiN et de la couche de composé à base de Si pour renvoyer les rayons infrarouges à la couche de composé à base de Si.
(JA)
赤外線吸収膜2は、TiNを含む第1の層21と、Si系化合物を含む第2の層22とを備え、第2の層22側から入射する赤外線のエネルギーを熱に変換する。TiNは、8μmより短い波長域の赤外線に対する吸収率が高い一方、8μmより長い波長域の赤外線に対しては反射率が高い。従って、長波長域の赤外線に対する吸収率が良いSi系化合物層をTiN層上に積層すれば、TiN層において吸収率が低い波長域の赤外線をSi系化合物層において好適に吸収できると同時に、Si系化合物層を透過しようとする赤外線をTiN層の界面で反射してSi系化合物層へ戻すことができる。
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international