(EN) An infrared absorbing film (2) comprises a TiN-containing first layer (21) and an Si-based compound-containing second layer (22) and functions to convert infrared energy introduced from a second layer (22) side to heat. TiN has high infrared ray absorption in a wavelength range below 8 μm, but on the other hand, has high infrared ray reflectance in a wavelength range above 8 μm. Accordingly, stacking an Si-based compound layer having good infrared ray absorption in a long wavelength range onto a TiN layer can realize suitable infrared ray absorption in a wavelength range, which is low in absorption in the TiN layer, in the Si-based compound layer and, at the same time, can realize reflection of infrared rays, which is about to be passed through the Si-based compound layer, from the interface of the TiN layer and the Si-based compound layer to return the infrared rays to the Si-based compound layer.
(FR) Le film absorbant infrarouge (2) selon l'invention comprend une première couche contenant du TiN (21) et une seconde couche contenant un composé à base de Si (22) et sert à convertir l’énergie infrarouge introduite à partir d’une seconde couche (22) en chaleur. Le TiN possède une absorption élevée des rayons infrarouges dans une plage de longueur d’onde inférieure à 8 µm, mais d’autre part, possède une réflectance élevée des rayons infrarouges dans une plage de longueur d’onde supérieure à 8 µm. En conséquence, l’empilage d’une couche de composé à base de Si présentant une bonne absorption des rayons infrarouges dans une longue plage de longueur d’onde sur une couche de TiN permet d’atteindre une absorption adéquate des rayons infrarouges dans une plage de longueur d’onde, de faible absorption dans la couche de TiN, dans la couche de composé à base de Si et, en même temps, permet de réfléchir les rayons infrarouges, allant passer à travers la couche composée à base de Si, à partir de l’interface de la couche de TiN et de la couche de composé à base de Si pour renvoyer les rayons infrarouges à la couche de composé à base de Si.
(JA) 赤外線吸収膜２は、ＴｉＮを含む第１の層２１と、Ｓｉ系化合物を含む第２の層２２とを備え、第２の層２２側から入射する赤外線のエネルギーを熱に変換する。ＴｉＮは、８μｍより短い波長域の赤外線に対する吸収率が高い一方、８μｍより長い波長域の赤外線に対しては反射率が高い。従って、長波長域の赤外線に対する吸収率が良いＳｉ系化合物層をＴｉＮ層上に積層すれば、ＴｉＮ層において吸収率が低い波長域の赤外線をＳｉ系化合物層において好適に吸収できると同時に、Ｓｉ系化合物層を透過しようとする赤外線をＴｉＮ層の界面で反射してＳｉ系化合物層へ戻すことができる。