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1. (WO2007086398) APPAREIL ET PROCÉDÉ PERMETTANT D'INSPECTER LA SURFACE D'UN ÉCHANTILLON
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/086398    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/051045
Date de publication : 02.08.2007 Date de dépôt international : 24.01.2007
CIB :
H01J 37/29 (2006.01), G01N 23/225 (2006.01), H01J 37/147 (2006.01), H01L 21/66 (2006.01)
Déposants : EBARA CORPORATION [JP/JP]; 11-1, Haneda Asahi-cho, Ohta-ku, Tokyo 1448510 (JP) (Tous Sauf US).
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058001 (JP) (Tous Sauf US).
NOJI, Nobuharu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAITO, Yoshihiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SOBUKAWA, Hirosi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HATAKEYAMA, Masahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TERAO, Kenji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MURAKAMI, Takeshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OKUMURA, Katsuya [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HIGASHIKI, Tatsuhiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NOJI, Nobuharu; (JP).
NAITO, Yoshihiko; (JP).
SOBUKAWA, Hirosi; (JP).
HATAKEYAMA, Masahiro; (JP).
TERAO, Kenji; (JP).
MURAKAMI, Takeshi; (JP).
OKUMURA, Katsuya; (JP).
HIGASHIKI, Tatsuhiko; (JP)
Mandataire : SHAMOTO, Ichio; YUASA AND HARA Section 206, New Ohtemachi Bldg. 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1000004 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-016553 25.01.2006 JP
Titre (EN) APPARATUS AND METHOD FOR INSPECTING SAMPLE SURFACE
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉ PERMETTANT D'INSPECTER LA SURFACE D'UN ÉCHANTILLON
(JA) 試料表面検査装置及び検査方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided are an apparatus for inspecting defects un semiconductor device manufacturing process with high precision which has not been conventionally achieved and a method for inspecting or evaluating the semiconductor devices. In the method for inspecting a sample surface by means of a mapping electron beam inspecting apparatus (1), the size of an area on the sample surface to be irradiated with an electron beam generated from an electron gun (21) is formed to be larger than a pattern size on the sample surface in substantially circular or ellipse. The electron beam is applied at substantially the center of the pattern on the sample surface, secondary electrons generated from the sample surface by electron beam irradiation are focused on the electron dectecting surface of a detector (41) and the sample surface is inspected.
(FR)La présente invention concerne un appareil qui permet d'inspecter des défauts dans un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur avec une haute précision qui n'a pas été atteinte par les moyens classiques et un procédé d'inspection ou d'évaluation des dispositifs semi-conducteurs. Dans le procédé d'inspection d'une surface d'échantillon au moyen d'un appareil (1) d'inspection à faisceau d'électrons du type par mappage, la dimension d'une région sur la surface d'échantillon devant être irradiée avec un faisceau d'électrons généré par un canon à électrons (21) est formée de manière à se trouver plus grande que la dimension d'un motif situé sur la surface d'échantillon de forme sensiblement circulaire ou elliptique. Le faisceau d'électrons est appliqué sensiblement au niveau du centre du motif de la surface d'échantillon, les électrons secondaires générés par la surface d'échantillon par l'irradiation avec le faisceau d'électrons sont focalisés sur la surface de détection électronique d'un détecteur (41) et la surface d'échantillon est inspectée.
(JA)not available
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)