WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2007086310) MATÉRIAU PHOTOÉMETTEUR, DISPOSITIF PHOTOÉMETTEUR ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/086310    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/050742
Date de publication : 02.08.2007 Date de dépôt international : 12.01.2007
CIB :
C09K 11/56 (2006.01), C09K 11/00 (2006.01), C09K 11/54 (2006.01), C09K 11/62 (2006.01), C09K 11/64 (2006.01), C09K 11/78 (2006.01), C09K 11/84 (2006.01), C09K 11/88 (2006.01), H05B 33/14 (2006.01), H05B 33/22 (2006.01)
Déposants : SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP) (Tous Sauf US).
SAKATA, Junichiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAWAKAMI, Takahiro; (US Seulement).
YAMAMOTO, Yoshiaki; (US Seulement).
KATAYAMA, Miki; (US Seulement).
YOKOYAMA, Kohei; (US Seulement)
Inventeurs : SAKATA, Junichiro; (JP).
KAWAKAMI, Takahiro; .
YAMAMOTO, Yoshiaki; .
KATAYAMA, Miki; .
YOKOYAMA, Kohei;
Données relatives à la priorité :
2006-019869 27.01.2006 JP
Titre (EN) LIGHT EMITTING MATERIAL, LIGHT EMITTING DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) MATÉRIAU PHOTOÉMETTEUR, DISPOSITIF PHOTOÉMETTEUR ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(EN)An object is to provide a novel light emitting material. Another object is to provide a light emitting device and an electronic device with reduced power consumption. Still another object is to provide a light emitting device and an electronic device which can be manufactured at low cost. Provided is a light emitting element including a base material, a first impurity element, a second impurity element, and a third impurity element. The base material is one of ZnS, CdS, CaS, Y2S3, Ga2S3, SrS, BaS, ZnO, Y2O3, AlN, GaN, InN, ZnSe, ZnTe, and SrGa2S4; the first impurity element is any of Cu, Ag, Au, Pt, and Si; the second impurity element is any of F, Cl, Br, I, B, Al, Ga, In, and Tl; and the third impurity element is any of Li, Na, K, Rb, Cs, N, P, As, Sb, and Bi.
(FR)La présente invention concerne un nouveau matériau photoémetteur. La présente invention concerne également un dispositif photoémetteur et un dispositif électronique à consommation d'énergie réduite. La présente invention concerne en outre un dispositif photoémetteur et un dispositif électronique pouvant être fabriqués à faible coût. La présente invention concerne notamment un élément photoémetteur incluant un matériau de base, un premier élément d'impureté, un second élément d'impureté et un troisième élément d'impureté. Le matériau de base est sélectionné parmi ZnS, CdS, CaS, Y2S3, Ga2S3, SrS, BaS, ZnO, Y2O3, AlN, GaN, InN, ZnSe, ZnTe et SrGa2S4 ; le premier élément d'impureté est sélectionné parmi Cu, Ag, Au, Pt et Si ; le second élément d'impureté est sélectionné parmi F, Cl, Br, I, B, Al, Ga, In et Tl ; et le troisième élément d'impureté est sélectionné parmi Li, Na, K, Rb, Cs, N, P, As, Sb et Bi.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)