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1. (WO2007086280) STRUCTURE STRATIFIÉE, ET ÉLECTRODE POUR CIRCUIT ÉLECTRIQUE UTILISANT LADITE STRUCTURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/086280    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/050497
Date de publication : 02.08.2007 Date de dépôt international : 16.01.2007
CIB :
G02F 1/1343 (2006.01), H01B 5/02 (2006.01), H01B 5/14 (2006.01), C23C 14/08 (2006.01), H01B 13/00 (2006.01)
Déposants : IDEMITSU KOSAN CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008321 (JP) (Tous Sauf US).
UMENO, Satoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HONDA, Katsunori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
INOUE, Kazuyoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MATSUBARA, Masato [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : UMENO, Satoshi; (JP).
HONDA, Katsunori; (JP).
INOUE, Kazuyoshi; (JP).
MATSUBARA, Masato; (JP)
Mandataire : WATANABE, Kihei; Shibashin Kanda Bldg. 3rd Floor 26, Kanda Suda-cho 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1010041 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-016974 25.01.2006 JP
Titre (EN) LAMINATED STRUCTURE, AND ELECTRODE FOR ELECTRIC CIRCUIT USING THE SAME
(FR) STRUCTURE STRATIFIÉE, ET ÉLECTRODE POUR CIRCUIT ÉLECTRIQUE UTILISANT LADITE STRUCTURE
(JA) 積層構造及びそれを用いた電気回路用電極
Abrégé : front page image
(EN)A thin film composed of a thin film of ITO and a thin film of molybdenum stacked on top of each other has hitherto been used as a part of an electric circuit, for example, in liquid crystal displays. However, it is known that, when the thin film of molybdenum is formed on the thin film of ITO, internal stress takes place in each of the thin films, disadvantageously leading to separation of the thin film or breaking. To overcome this problem, a laminated film forming technique, which can simplify the step of film formation and the step of etching while preventing cracking and breaking caused by stress between the thin film of ITO and the thin film of molybdenum, has been demanded. As a result of extensive and intensive studies for solving the above problem, it was found that, when the thickness of a transparent electroconductive film is not more than 35 nm, the adhesion of the transparent electroconductive thin film and the thin film of molybdenum metal can be enhanced. By virtue of this finding, the prevention of cracking and breaking and an improvement in yield by the simplification of the process could have been simultaneously realized.
(FR)On utilisait jusqu’à présent un film mince composé d’un film mince ITO et d’un film mince de molybdène empilés l’un sur l’autre dans le cadre d’un circuit électrique, par exemple, dans des affichages à cristaux liquides. Cependant, on sait que, lorsque le film mince de molybdène est formé sur le film mince ITO, une contrainte interne se produit dans chacun des films minces, conduisant malheureusement à la séparation du film mince ou à sa rupture. Pour résoudre ce problème, on a besoin d’une technique de façonnage de film stratifié, capable de simplifier la phase de formation de film et la phase de gravure tout en évitant le fissurage et la fracture provoqués par la contrainte existant entre le film mince ITO et le film mince de molybdène. A la suite d’études extensives et intensives visant à résoudre le problème ci-dessus, il est apparu que, lorsque l’épaisseur d’un film électroconducteur transparent ne dépassait pas 35 nm, on pouvait améliorer l’adhérence du film mince électroconducteur transparent et du film mince de métal de molybdène. Grâce à l'invention, on peut éviter tout fissurage et toute fracture tout en augmentant la productivité en simplifiant le processus.
(JA)not available
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)