WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2007086238) CAPTEUR DE TEMPÉRATURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/086238    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/000022
Date de publication : 02.08.2007 Date de dépôt international : 19.01.2007
CIB :
G01K 7/22 (2006.01)
Déposants : TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY [JP/JP]; 2-12-1, Ookayama,, Meguro-ku,, Tokyo1528550 (JP) (Tous Sauf US).
SANDHU, Adarsh [GB/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMAMURA, Takuya [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAODA, Makoto [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
PRIMADANI, Zaki [ID/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SANDHU, Adarsh; (JP).
YAMAMURA, Takuya; (JP).
TAODA, Makoto; (JP).
PRIMADANI, Zaki; (JP)
Mandataire : NAMAI, Kazuhira; NAMAI and Associates, Fonte Aoyama #612,, 2-22-14,Minami Aoyama,, Minato-ku,, Tokyo1070062 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-019488 27.01.2006 JP
60/763,721 31.01.2006 US
Titre (EN) TEMPERATURE SENSOR
(FR) CAPTEUR DE TEMPÉRATURE
Abrégé : front page image
(EN)This invention is to provide a temperature sensor which can measure a precise temperature of a minute region, which can measure a temperature in a wide range from a low temperature to a high temperature, and which has a simple structure. The temperature sensor comprises a two-dimensional electron gas. A resistance of the two-dimensional electron gas is used to measure a temperature. The two-dimensional electron gas may have a heterostructure selected from the group consisting of an AlGaN/GaN system, an AlGaAs/GaAs system, an InAs/GaAs system, an InAs/GaSb/AlSb system, a SiGe/Si system, a SiC/Si system, a CdTe/HgTe/CdTe system, an InGaAs/InAlAs/InP system, and nanocrystalline silicon.
(FR)La présente invention concerne un capteur de température capable de mesurer une température précise d'une zone minuscule, de mesurer une température dans une large plage allant d'une basse température à une haute température, et présentant une structure simple. Le capteur de température contient un gaz électronique bidimensionnel. Une résistance du gaz électronique bidimensionnel sert à mesurer une température. Le gaz électronique bidimensionnel peut présenter une hétérostructure choisie dans le groupe constitué d'un système AlGaN/GaN, un système AlGaAs/GaAs, d'un système InAs/GaAs, d'un système InAs/GaSb/AlSb, d'un système SiGe/Si, d'un système SiC/Si, d'un système CdTe/HgTe/CdTe, et d'un système InGaAs/InAlAs/InP, et de silicium nanocristallin.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)