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1. (WO2007086204) STRUCTURE D'ISOLATION À DOUBLE GRILLE POUR DISPOSITIFS À TRANSFERT DE CHARGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/086204    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/324790
Date de publication : 02.08.2007 Date de dépôt international : 06.12.2006
CIB :
H01L 29/768 (2006.01), H01L 27/148 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H01L 21/339 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01)
Déposants : MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka, 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
NIISOE, Naoto; (US Seulement).
HIRATA, Kazuhisa; (US Seulement).
YAMADA, Tohru; (US Seulement)
Inventeurs : NIISOE, Naoto; .
HIRATA, Kazuhisa; .
YAMADA, Tohru;
Mandataire : MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg., 5-7, Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka, 5410053 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-020299 30.01.2006 JP
Titre (EN) DOUBLE GATE ISOLATION STRUCTURE FOR CCDS AND CORRESPONDING FABRICATING METHOD
(FR) STRUCTURE D'ISOLATION À DOUBLE GRILLE POUR DISPOSITIFS À TRANSFERT DE CHARGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
Abrégé : front page image
(EN)A first oxide film (102) is formed on a semiconductor substrate (101). A first nitride film (103) is formed on first gate electrode formation regions of the first oxide film (102). A plurality of first gate electrodes (104) are provided on the first nitride film (103) so as to be spaced apart from one another with a predetermined distance therebetween. A second oxide film (105) covers upper part and side walls of each of the first gate electrodes (104). A sidewall spacer (106) of a third oxide film is buried in an overhang portion generated on each side wall of each of the first gate electrodes (104) covered by the second oxide film (105). A second nitride film (107) covers the second oxide film (105), the sidewall spacer (106) and part of the first oxide film (102) located between the first gate electrodes (104). A plurality of second gate electrodes (108) are formed on at least part of the second nitride film (107) located between adjacent two of the first gate electrodes (104).
(FR)Selon la présente invention, un premier film d'oxyde (102) est formé sur un substrat semi-conducteur (101). Un premier film de nitrure (103) est formé sur des régions de formation de première électrode de grille du premier film d'oxyde (102). Une pluralité de premières électrodes de grille (104) sont ménagées sur le premier film de nitrure (103) de manière espacée les unes des autres, avec une distance prédéfinie entre elles. Un deuxième film d'oxyde (105) recouvre une partie supérieure et des parois latérales de chacune des premières électrodes de grille (104). Un écarteur de paroi latérale (106) d'un troisième film d'oxyde est enterré dans une partie en porte-à-faux située sur chaque paroi latérale de chacune des premières électrodes de grille (104) recouvertes par le deuxième film d'oxyde (105). Un second film de nitrure (107) recouvre le deuxième film d'oxyde (105), l'écarteur de paroi latérale (106) et une partie du premier film d'oxyde (102) située entre les premières électrodes de grille (104). Une pluralité de secondes électrodes de grille (108) sont ménagées sur au moins une partie du second film de nitrure (107) située entre deux premières électrodes de grille adjacentes (104).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)