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1. (WO2007086203) STRUCTURE D'ISOLATION À DOUBLE GRILLE POUR DISPOSITIFS À TRANSFERT DE CHARGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/086203    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/324789
Date de publication : 02.08.2007 Date de dépôt international : 06.12.2006
CIB :
H01L 29/768 (2006.01), H01L 21/339 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H01L 27/148 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01)
Déposants : MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka, 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
NIISOE, Naoto; (US Seulement).
HIRATA, Kazuhisa; (US Seulement).
YAMADA, Tohru; (US Seulement)
Inventeurs : NIISOE, Naoto; .
HIRATA, Kazuhisa; .
YAMADA, Tohru;
Mandataire : MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg., 5-7, Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka, 5410053 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-020294 30.01.2006 JP
Titre (EN) DOUBLE GATE ISOLATION STRUCTURE FOR CCDS AND CORRESPONDING FABRICATING METHOD
(FR) STRUCTURE D'ISOLATION À DOUBLE GRILLE POUR DISPOSITIFS À TRANSFERT DE CHARGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
Abrégé : front page image
(EN)A first oxide film (102) and a first nitride film (103) are formed over a semiconductor substrate (101) so as to be stacked in this order. A plurality of first gate electrodes (104) are arranged on the first nitride film (103) so as to be spaced apart from one another with a predetermined distance therebetween. Upper part and side walls of each of the first gate electrode (104) is covered by a second oxide film (105). The second oxide film (105) and part of the first nitride film (103) located between the first gate electrodes (104) are covered by the second nitride film (106). A plurality of second gate electrodes (107) are formed on at least part of the second nitride film (106) located between adjacent two of the first gate electrodes (104). Each of the second gate electrodes (107) is separated from the first gate electrode (104) by the second oxide film (105) and the second nitride film (106) and separated from the semiconductor substrate (101) by the first oxide film (102), the first nitride film (103) and the second nitride film (106).
(FR)Selon la présente invention, un premier film d'oxyde (102) et un premier film de nitrure (103) sont formés sur un substrat semi-conducteur (101) de manière à se succéder dans cet ordre. Une pluralité de premières électrodes de grille (104) sont ménagées sur le premier film de nitrure (103) de manière espacée les unes des autres, avec une distance prédéfinie entre elles. Un second film d'oxyde (105) recouvre une partie supérieure et des parois latérales de chaque première électrode de grille (104). Le second film de nitrure (106) recouvre ce second film d'oxyde (105) et une partie du premier film de nitrure (103) située entre les premières électrodes de grille (104). Une pluralité de secondes électrodes de grille (107) sont ménagées sur au moins une partie du second film de nitrure (106) située entre deux premières électrodes de grille adjacentes (104). Chacune des secondes électrodes de grille (107) est séparée de la première électrode de grille (104) par le second film d'oxyde (105) et par le second film de nitrure (106) et est séparée du substrat semi-conducteur (101) par le premier film d'oxyde (102), par le premier film de nitrure (103) et par le second film de nitrure (106).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)