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1. (WO2007086050) DISPOSITIF COMPORTANT UN RÉSEAU DE CELLULES DE MÉMOIRE NON VOLATILE ET PROCÉDÉ POUR LA MODIFICATION D'UN ÉTAT D'UNE CELLULE DE MÉMOIRE NON VOLATILE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/086050    N° de la demande internationale :    PCT/IL2007/000080
Date de publication : 02.08.2007 Date de dépôt international : 22.01.2007
CIB :
G11C 11/34 (2006.01)
Déposants : FROMMER, Aviv [IL/IL]; (IL)
Inventeurs : FROMMER, Aviv; (IL)
Mandataire : RECHES, Oren; 913 POB, 13 Hadafna St., 42823 Zoran (IL)
Données relatives à la priorité :
60/762,130 26.01.2006 US
Titre (EN) DEVICE HAVING AN ARRAY OF NON-VOLATILE MEMORY CELLS AND A METHOD FOR ALTERING A STATE OF A NON-VOLATILE MEMORY CELL
(FR) DISPOSITIF COMPORTANT UN RÉSEAU DE CELLULES DE MÉMOIRE NON VOLATILE ET PROCÉDÉ POUR LA MODIFICATION D'UN ÉTAT D'UNE CELLULE DE MÉMOIRE NON VOLATILE
Abrégé : front page image
(EN)An array of non-volatile memory cells and a method for altering a state of a non-volatile memory cell that comprises multiple terminals, a substrate, and a charge retainer surrounded by an insulator, the method includes: illuminating the substrate with light such as to create electron-hole pairs within a first portion of the substrate positioned deep within the substrate and to create electron-hole pairs within a second portion of the substrate located near an upper surface of the substrate; and applying at least one control voltage to at least one terminal of the non-volatile memory cell such as to cause charged particles created in the first portion and in the second portion to propagate towards the upper surface of the substrate and to be injected into the charge retainer.
(FR)La présente invention concerne un réseau de cellules de mémoire non volatile et un procédé pour la modification d'un état d'une cellule de mémoire non volatile comportant une pluralité de bornes, un substrat, et une retenue de charge entourée par un isolant, le procédé comprenant: l'éclairage du substrat avec de la lumière de manière à générer des paires électrons-trous dans une première partie du substrat positionnée en profondeur au sein du substrat et à générer des paires électrons-trous dans une seconde partie du substrat située à proximité d'une surface supérieure du substrat; et l'application d'au moins une tension de commande à au moins une borne de la cellule de mémoire non volatile afin d'entraîner la propagation de particules chargées générées dans la première partie et dans la seconde partie vers la surface supérieure en vue de leur injection dans la retenue de charge.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)