WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2007086019) PRODUCTION DE CIRCUITS INTEGRES COMPRENANT DIFFERENTS COMPOSANTS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/086019    N° de la demande internationale :    PCT/IB2007/050260
Date de publication : 02.08.2007 Date de dépôt international : 25.01.2007
CIB :
H01L 21/66 (2006.01)
Déposants : NXP B.V. [NL/NL]; High Tech Campus 60, NL-5656 AG Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
SCHNITT, Wolfgang [DE/DE]; (AT) (US Seulement)
Inventeurs : SCHNITT, Wolfgang; (AT)
Mandataire : RÖGGLA, Harald; NXP Semiconductors Austria GmbH, Gutheil-Schoder-Gasse 8-12, A-1102 Vienna (AT)
Données relatives à la priorité :
06100869.4 26.01.2006 EP
Titre (EN) PRODUCTION OF INTEGRATED CIRCUITS COMPRISING DIFFERENT COMPONENTS
(FR) PRODUCTION DE CIRCUITS INTEGRES COMPRENANT DIFFERENTS COMPOSANTS
Abrégé : front page image
(EN)It is described a method for producing an integrated circuit element comprising a first electric component of a first type and a second electric component of a second type, wherein the two components require different measurement conditions for testing the components as to be defective or as to be defect free. The production method comprises the steps of (a) forming the first and the second component on a substrate, (b) providing a conductor path on the substrate in order to contact the first and the second component, the conductor path comprising a galvanic gap, wherein the galvanic gap provides the possibility to individually connect the first component with a measurement device, (c) accomplishing a test of the first component with the measurement device and (d) in case the test shows a defect free first component, closing the galvanic gap with a conductive connection, and in case the test shows a defective first component, identifying the corresponding integrated circuit element as to be defective. Furthermore, there is described a method for producing an integrated circuit comprising a plurality of circuit elements, a circuit element and an integrated circuit.
(FR)La présente invention concerne un procédé pour produire un élément de circuit intégré comprenant un premier composant électrique d'un premier type et un second composant électrique d'un second type ; les deux composants nécessitent différentes conditions de mesure pour tester les composants comme étant défectueux ou sans défauts. Le procédé de production passe par les étapes suivantes : (a) formation du premier et du second composant sur un substrat, (b) fourniture d'un chemin de conducteur sur le substrat pour faire contact entre le premier et le second composant, le chemin de conducteur comprenant un intervalle galvanique, celui-ci permettant de connecter individuellement le premier composant à un dispositif de mesure, (c) accomplissement d'un test du premier composant avec le dispositif de mesure et (d) au cas où le test montre un premier composant exempt de défauts, fermeture de l'intervalle galvanique avec une connexion conductrice et, au cas où le test montre un premier composant défectueux, identification de l'élément de circuit intégré correspondant comme étant défectueux. L'invention concerne également un procédé pour produire un circuit intégré comprenant une pluralité d'éléments de circuit, un élément de circuit et un circuit intégré.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)