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1. (WO2007085979) DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE COMPRENANT PLUSIEURS ÉLÉMENTS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/085979    N° de la demande internationale :    PCT/IB2007/050120
Date de publication : 02.08.2007 Date de dépôt international : 15.01.2007
CIB :
G02F 1/1362 (2006.01), G02F 1/1333 (2006.01), G02F 1/167 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
JOHNSON, Mark, T. [GB/NL]; (NL) (US Seulement)
Inventeurs : JOHNSON, Mark, T.; (NL)
Mandataire : SCHOUTEN, Marcus, M.; Prof. Holstlaan 6, NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
06100918.9 27.01.2006 EP
Titre (EN) ELECTRONIC DEVICE COMPRISING MULTIPLE DEVICE ELEMENTS
(FR) DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE COMPRENANT PLUSIEURS ÉLÉMENTS
Abrégé : front page image
(EN)An electronic device comprises a plurality of device elements, each device element being associated with an active matrix switching device (12;32). The switching devices (12;32) are grouped together into one or more regions (24), with switching devices within the or each region being physically packed more densely than the packing density of the device elements. Connecting lines (30) electrically couple each device element to its respective switching device. This provides a layout of the active matrix array in which the active elements (TFTs, MIMs, diodes or other devices) are concentrated together in only certain areas of the active matrix array. This enables the output production rate to be increased.
(FR)L'invention concerne un dispositif électronique qui comprend une pluralité d'éléments, chaque élément étant associé à un dispositif de commutation de matrice active (12;32). Les dispositifs de commutation (12;32) sont regroupés dans une ou plusieurs régions (24). Les dispositifs de commutation se trouvant dans la région ou dans chaque région sont physiquement implantés selon une densité supérieure à la densité d'implantation des éléments. Des lignes de connexion (30) raccordent électriquement chaque élément à son dispositif de commutation respectif. L'invention permet d'obtenir une topologie du réseau à matrice active dans laquelle les éléments actifs (TFT, MIM, diodes ou autres dispositifs) sont concentrés uniquement dans certaines zones du réseau à matrice active. Le taux de production de sortie est ainsi amélioré.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)