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1. (WO2007085387) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT D'UNE PLAQUETTE SEMI-CONDUCTRICE CONTENANT DE L'OXYGÈNE ET COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/085387    N° de la demande internationale :    PCT/EP2007/000475
Date de publication : 02.08.2007 Date de dépôt international : 19.01.2007
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    02.08.2007    
CIB :
H01L 21/322 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/263 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG [AT/AT]; Siemensstrasse 2, A-9500 Villach (AT) (Tous Sauf US).
SCHULZE, Hans-Joachim [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
STRACK, Helmut [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
MAUDER, Anton [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : SCHULZE, Hans-Joachim; (DE).
STRACK, Helmut; (DE).
MAUDER, Anton; (DE)
Mandataire : BICKEL, Michael; Patentanwälte Westphal, Mussgnug & Partner, Mozartstrasse 8, 80336 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2006 002 903.8 20.01.2006 DE
10 2006 014 639.5 29.03.2006 DE
10 2006 041 402.0 04.09.2006 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR BEHANDLUNG EINES SAUERSTOFF ENTHALTENDEN HALBLEITERWAFERS UND HALBLEITERBAUELEMENT
(EN) METHOD FOR TREATING AN OXYGEN-CONTAINING SEMICONDUCTOR WAFER, AND SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT D'UNE PLAQUETTE SEMI-CONDUCTRICE CONTENANT DE L'OXYGÈNE ET COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(DE)Beschrieben wird ein Verfahren zur Behandlung eines Sauerstoff enthaltenden Halbleiterwafers, der eine erste Seite, eine der ersten Seite gegenüberliegende zweite Seite, einen sich an die erste Seite anschließenden ersten Halbleiterbe-reich, und einen sich an die zweite Seite anschließenden zweiten Halbleiterbereich aufweist, mit folgenden Verfahrens-schritten:-Bestrahlen der zweiten Seite des Wafers mit hochenergeti schen Teilchen, wodurch Kristalldefekte in dem zweiten Halbleiterbereich entstehen,- Durchführen eines ersten Temperaturprozesses, bei dem der Wafer auf Temperaturen zwischen 700° C und 1100° C aufgeheizt wird. Die Erfindung betrifft außerdem ein auf Basis eines derart behandelten Wafers hergestelltes Bauelement.
(EN)The invention describes a method for treating an oxygen-containing semiconductor wafer which has a first side, a second side which is opposite the first side, a first semiconductor region which adjoins the first side and a second semiconductor region which adjoins the second side, said method having the following method steps: the second side of the wafer is irradiated with high-energy particles, thus producing crystal defects in the second semiconductor region, and a first thermal process in which the wafer is heated to temperatures of between 700°C and 1100°C is carried out. The invention also relates to a component which is produced on the basis of a wafer which has been treated in this manner.
(FR)La présente invention concerne un procédé de traitement d’une plaquette semi-conductrice contenant de l’oxygène qui comporte un premier côté, un deuxième côté opposé au premier côté, une première zone semi-conductrice adjacente au premier côté, et une deuxième zone semi-conductrice adjacente au deuxième côté, dont les étapes de procédé consistent : - à irradier le deuxième côté de la plaquette avec des particules à haute énergie, afin de générer des défauts cristallins dans la deuxième zone semi-conductrice, - à réaliser un premier traitement thermique pendant lequel la plaquette est chauffée à des températures comprises entre 700 °C et 1100 °C. L’invention concerne en outre un composant fabriqué sur la base d’une plaquette ainsi traitée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)