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1. (WO2007062250) CRISTAUX DE NITRURE D’ALUMINIUM DE TAILLE IMPORTANTE A DEFAUTS REDUITS ET PROCEDES DE FABRICATION DE CEUX-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/062250    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/045540
Date de publication : 31.05.2007 Date de dépôt international : 28.11.2006
CIB :
C30B 23/00 (2006.01), C30B 29/40 (2006.01)
Déposants : CRYSTAL IS, INC. [US/US]; 70 Cohoes Avenue, Green Island, NY 12183 (US) (Tous Sauf US).
BONDOKOV, Robert, T. [US/US]; (US) (US Seulement).
MORGAN, Kenneth [US/US]; (US) (US Seulement).
SLACK, Glen, A. [US/US]; (US) (US Seulement).
SCHOWALTER, Leo, J. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BONDOKOV, Robert, T.; (US).
MORGAN, Kenneth; (US).
SLACK, Glen, A.; (US).
SCHOWALTER, Leo, J.; (US)
Mandataire : US, Natasha, C.; Goodwin Procter LLP, Exchange Place, Boston, MA 02109 (US)
Données relatives à la priorité :
60/740,082 28.11.2005 US
Titre (EN) LARGE ALUMINUM NITRIDE CRYSTALS WITH REDUCED DEFECTS AND METHODS OF MAKING THEM
(FR) CRISTAUX DE NITRURE D’ALUMINIUM DE TAILLE IMPORTANTE A DEFAUTS REDUITS ET PROCEDES DE FABRICATION DE CEUX-CI
Abrégé : front page image
(EN)Reducing the microvoid (MV) density in AlN ameliorates numerous problems related to cracking during crystal growth, etch pit generation during the polishing, reduction of the optical transparency in an AlN wafer, and, possibly, growth pit formation during epitaxial growth of AlN and/or AlGaN. This facilitates practical crystal production strategies and the formation of large, bulk AlN crystals with low defect densities - e.g., a dislocation density below 104 cm-3 and an inclusion density below 104 cm-3 and/or a MV density below 104 cm-3.
(FR)La présente invention concerne l’amélioration, par la réduction de la densité de microvides dans Aln, de nombreux problèmes liés à la formation de craquelures durant la croissance d’un cristal, à la formation de figures d’attaque durant le polissage, à la réduction de la transparence optique dans une plaque d’Aln, et, sans doute, à la formation de puits de croissance durant la croissance épitaxiale de AlN et/ou AlGaN. Ceci facilite la mise en pratique de stratégies de production de cristaux et la formation de cristaux massifs d’AlN de taille importante présentant une faible densité de défauts - par exemple, une densité de dislocations inférieure à 104 cm2 et une densité d’inclusions inférieure à 104 cm3 et/ou une densité de microvides inférieure à 104 cm3.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)