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1. (WO2007062111) PROCEDE D'ELIMINATION DE MATIERE A PARTIR DE SUBSTRATS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/062111    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/045190
Date de publication : 31.05.2007 Date de dépôt international : 22.11.2006
CIB :
B08B 3/08 (2006.01), B08B 7/00 (2006.01), G03F 7/42 (2006.01)
Déposants : FSI INTERNATIONAL, INC. [US/US]; 3455 Lyman Boulevard, Chaska, Minnesota 55318 (US) (Tous Sauf US).
CHRISTENSON, Kurt, Karl [US/US]; (US) (US Seulement).
HANESTAD, Ronald, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
RUETHER, Patricia, Ann [US/US]; (US) (US Seulement).
WAGENER, Thomas, J. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CHRISTENSON, Kurt, Karl; (US).
HANESTAD, Ronald, J.; (US).
RUETHER, Patricia, Ann; (US).
WAGENER, Thomas, J.; (US)
Mandataire : BJORKMAN, Dale, A.; KAGAN BINDER, PLLC, Suite 200, Maple Island Building, 221 Main Street North, Stillwater, Minnesota 55082 (US)
Données relatives à la priorité :
60/739,727 23.11.2005 US
Titre (EN) PROCESS FOR REMOVING MATERIAL FROM SUBSTRATES
(FR) PROCEDE D'ELIMINATION DE MATIERE A PARTIR DE SUBSTRATS
Abrégé : front page image
(EN)A method of removing materials, and preferably photoresist, from a substrate (18) comprises dispensing a liquid sulfuric acid composition comprising sulfuric acid and/or its desiccating species and precursors and having a water/ sulfuric acid molar ratio of no greater than 5:1 onto an material coated substrate in an amount effective to substantially uniformly coat the material coated substrate. The substrate is preferably heated to a temperature of at least about 9O°C, either before, during or after dispensing of the liquid sulfuric acid composition. After the substrate is at a temperature of at least about 9O°C, the liquid sulfuric acid composition is exposed to water vapor in an amount effective to increase the temperature of the liquid sulfuric acid composition above the temperature of the liquid sulfuric acid composition prior to exposure to the water vapor. The substrate is then preferably rinsed to remove the material .
(FR)La présente invention concerne un procédé d'élimination de matières, et de préférence de photoresist, à partir d'un substrat (18), ce procédé consistant à distribuer une composition d'acide sulfurique liquide comprenant de l'acide sulfurique et/ou son espèce de dessiccation et des précurseurs, et ayant un rapport molaire eau/acide sulfurique inférieur ou égal à 5/1 sur un substrat recouvert de matière dans une quantité efficace pour recouvrir de manière substantiellement uniforme le substrat. On chauffe de préférence le substrat à une température d'au moins environ 90 °C, avant, pendant ou après la distribution de la composition d'acide sulfurique liquide. Après que le substrat ait atteint une température d'au moins environ 90 °C, on expose la composition d'acide sulfurique liquide à de la vapeur d'eau dans une quantité efficace pour augmenter la température de la composition d'acide sulfurique liquide avant l'exposition à la vapeur d'eau. On rince ensuite de préférence le substrat pour éliminer la matière.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)