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1. (WO2007061667) ELEMENTS DE MEMOIRE VOLATILE A HAUTS NIVEAUX D'ALIMENTATION EN ENERGIE POUR CIRCUITS INTEGRES DE TYPE CIRCUITS LOGIQUES PROGRAMMABLES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/061667    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/044014
Date de publication : 31.05.2007 Date de dépôt international : 10.11.2006
CIB :
G11C 5/14 (2006.01), G11C 7/00 (2006.01), G11C 7/10 (2006.01), G11C 11/00 (2006.01), H01L 25/00 (2006.01), H03K 19/177 (2006.01)
Déposants : ALTERA CORPORATION [US/US]; 101 INNOVATION DRIVE, San Jose, CA 94301 (US) (Tous Sauf US).
LIU, Lin-Shih [US/US]; (US) (US Seulement).
CHAN, Mark, T. [US/US]; (US) (US Seulement).
DO, Toan, D. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LIU, Lin-Shih; (US).
CHAN, Mark, T.; (US).
DO, Toan, D.; (US)
Mandataire : TREYZ, G., Victor; 870 Market Street, Suite 984, San Francisco, CA 94102 (US)
Données relatives à la priorité :
11/282,437 17.11.2005 US
Titre (EN) VOLATILE MEMORY ELEMENTS WITH ELEVATED POWER SUPPLY LEVELS FOR PROGRAMMABLE LOGIC DEVICE INTEGRATED CIRCUITS
(FR) ELEMENTS DE MEMOIRE VOLATILE A HAUTS NIVEAUX D'ALIMENTATION EN ENERGIE POUR CIRCUITS INTEGRES DE TYPE CIRCUITS LOGIQUES PROGRAMMABLES
Abrégé : front page image
(EN)Integrated circuits are provided that have volatile memory elements. The memory elements produce output signals . The integrated circuits may be programmable logic device integrated circuits containing programmable core logic including transistors with gates. The core logic is powered using a core logic power supply level defined by a core logic positive power supply voltage and a core logic ground voltage. When loaded with configuration data, the memory elements produce output signals that are applied to the gates of the transistors in the core logic to customize the programmable logic device. The memory elements are powered with a memory element power supply level defined by a memory element positive power supply voltage and a memory element ground power supply voltage. The memory element power supply level is elevated with respect to the core logic power supply level .
(FR)La présente invention se rapporte à des circuits intégrés qui comprennent des éléments de mémoire volatile. Lesdits éléments de mémoire produisent des signaux de sortie. Les circuits intégrés peuvent se présenter sous la forme de circuits intégrés de type circuits logiques programmables, qui contiennent une logique de noyau programmable comportant des transistors dotés de grilles. La logique de noyau est alimentée avec un niveau d'alimentation en énergie défini par une tension d'alimentation en énergie positive et une tension de masse. Une fois qu'ils sont chargés de données de configuration, les éléments de mémoire produisent des signaux de sortie qui sont appliqués aux grilles des transistors dans la logique de noyau, ce qui permet de personnaliser le circuit logique programmable. Les éléments de mémoire sont alimentés avec un niveau d'alimentation en énergie défini par une tension d'alimentation en énergie positive et une tension d'alimentation en énergie de masse. Le niveau d'alimentation en énergie de l'élément de mémoire est supérieur au niveau d'alimentation en énergie de la logique de noyau.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)