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1. (WO2007061273) PROCEDE DE FORMATION D'UN FILM DE SILICIUM PAR DEPOT EN DEUX ETAPES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/061273    N° de la demande internationale :    PCT/KR2006/005064
Date de publication : 31.05.2007 Date de dépôt international : 28.11.2006
CIB :
C23C 26/00 (2006.01)
Déposants : AET CO., LTD. [KR/KR]; 280-4 Jubuk-Ri, Yanggi-Myeon, Cheoin-gu, Yongin-city, Gyeonggi-do 449-822 (KR) (Tous Sauf US).
LEE, Won-Jun [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
PARK, Kwang-Chul [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
SON, Sang-Ho [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
PARK, Jae-Kyun [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
CHOI, Jong-Moon [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
RHA, Sa-Kyun [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : LEE, Won-Jun; (KR).
PARK, Kwang-Chul; (KR).
SON, Sang-Ho; (KR).
PARK, Jae-Kyun; (KR).
CHOI, Jong-Moon; (KR).
RHA, Sa-Kyun; (KR)
Mandataire : KIM, Inhan; Room 901, Doorea Bldg., 24, Yeouido-dong, Yeongdeungpo-gu, Seoul 150-877 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2005-0114401 28.11.2005 KR
Titre (EN) METHOD OF FORMING SILICON FILM BY TWO STEP DEPOSITION
(FR) PROCEDE DE FORMATION D'UN FILM DE SILICIUM PAR DEPOT EN DEUX ETAPES
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a method for forming a polycrystalline silicon through two-step deposition: supplying silicon precursor and plasma alternately to the inside of a plasma reaction tube to forming a crystalline silicon thin film of an atom layer at a lower temperature than 5000C; and forming a separate upper silicon thin film with the crystalline silicon thin film as a seed layer. The present invention can form a polycrystalline silicon thin film at relatively low temperature by the two-step deposition. The method of forming a polycrystalline silicon thin film by two-step deposition according to the present invention, comprises: sequentially supplying silicon precursors and reductive plasma into the inside of a reaction tube having a substrate placed therein to deposit a crystalline silicon thin film of atom layer having a predetermined thickness on the substrate; and depositing an upper silicon thin film on the crystalline silicon thin film functioning as a seed layer.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation de silicium polycristallin par dépôt en deux étapes, consistant à disposer de manière alternée un précurseur de silicium et du plasma à l'intérieur d'un tube de réaction à plasma pour former un film mince de silicium cristallin d'une couche atomique à une température inférieure à 5000°C, et à former un film mince de silicium supérieur séparé avec le film mince de silicium cristallin constituant une couche germe. La présente invention permet de former un film mince de silicium polycristallin à une température relativement basse grâce au dépôt en deux étapes. Le procédé de formation d'un film mince de silicium polycristallin par dépôt en deux étapes de la présente invention consiste à disposer de manière séquentielle des précurseurs de silicium et du plasma réducteur à l'intérieur d'un tube de réaction avec un substrat destiné à recevoir le dépôt d'un film mince de silicium cristallin d'une couche atomique d'une épaisseur prédéterminée, et à déposer un film mince de silicium supérieur sur le film mince de silicium cristallin formant la couche germe.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)