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1. (WO2007061113) DISPOSITIF TRANSISTOR ÉLECTROLUMINESCENT ORGANIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/061113    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/323706
Date de publication : 31.05.2007 Date de dépôt international : 28.11.2006
CIB :
H01L 51/50 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01), H01L 27/32 (2006.01), H05B 33/10 (2006.01), H05B 33/22 (2006.01), H05B 33/26 (2006.01)
Déposants : DAI NIPPON PRINTING CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Ichigaya-kaga-cho 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1628001 (JP) (Tous Sauf US).
PIONEER CORPORATION [JP/JP]; 4-1, Meguro 1-chome Meguro-ku, Tokyo 1538654 (JP) (AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BJ, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CM, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, MG, MK, ML, MN, MR, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, SV, SY, SZ, TD, TG, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BJ, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CM, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, MG, MK, ML, MN, MR, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, SV, SY, SZ, TD, TG, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
OBATA, Katsunari [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HANDA, Shinichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HATA, Takuya [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKAMURA, Kenji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YOSHIZAWA, Atsushi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ENDO, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OBATA, Katsunari; (JP).
HANDA, Shinichi; (JP).
HATA, Takuya; (JP).
NAKAMURA, Kenji; (JP).
YOSHIZAWA, Atsushi; (JP).
ENDO, Hiroyuki; (JP)
Mandataire : YOSHITAKE, Kenji; Kyowa Patent & Law Office Room 323, Fuji Bldg. 2-3, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-341617 28.11.2005 JP
Titre (EN) ORGANIC LIGHT-EMITTING TRANSISTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF TRANSISTOR ÉLECTROLUMINESCENT ORGANIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 有機発光トランジスタ素子及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is an organic light-emitting transistor device characterized by comprising a substrate, an auxiliary electrode layer arranged on the upper surface of the substrate, an insulating film arranged on the upper surface of the auxiliary electrode layer, a first electrode having a predetermined size and locally formed on the upper surface of the insulating film, a charge injection-suppressing layer so formed on the upper surface of the first electrode as to have the same size as the first electrode when viewed in plan, a charge injection layer formed on the upper surface of the charge injection-suppressing layer and the upper surface of the insulating film where the first electrode is not arranged, a light-emitting layer arranged on the upper surface of the charge injection layer, and a second electrode layer arranged on the light-emitting layer.
(FR)L’invention concerne un dispositif transistor électroluminescent organique caractérisé en ce qu’il comprend un substrat, une couche d’électrode auxiliaire disposée sur la surface supérieure du substrat, un film isolant disposé sur la surface supérieure de la couche d’électrode auxiliaire, une première électrode de taille prédéterminée et formée localement sur la surface supérieure du film isolant, une couche de suppression d’injection de charge formée sur la surface supérieure de la première électrode de façon à avoir la même taille que la première électrode vue dans le plan, une couche d’injection de charge formée sur la surface supérieure de la couche de suppression d’injection de charge et la surface supérieure du film isolant là où la première électrode n’est pas disposée, une couche électroluminescente disposée sur la surface supérieure de la couche d’injection de charge, et une seconde couche d’électrode disposée sur la couche electroluminescente.
(JA) 本発明は、基板と、前記基板の上面に設けられた補助電極層と、前記補助電極層の上面に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜の上面に局所的に所定の大きさで設けられた第1電極と、前記第1電極の上面に平面視で同じ大きさで設けられた電荷注入抑制層と、前記第1電極が設けられていない前記絶縁膜の上面と前記電荷注入抑制層の上面に設けられた電荷注入層と、前記電荷注入の上面に設けられた発光層と、当該発光層上に設けられた第2電極層と、を備えたことを特徴とする有機発光トランジスタ素子である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)