WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2007061050) DISPOSITIF DE DETECTION ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/061050    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/323448
Date de publication : 31.05.2007 Date de dépôt international : 24.11.2006
CIB :
H01L 23/02 (2006.01), G01P 15/08 (2006.01), H01L 21/60 (2006.01)
Déposants : MATSUSHITA ELECTRIC WORKS, LTD. [JP/JP]; 1048, Oaza-Kadoma, Kadoma-shi Osaka 5718686 (JP) (Tous Sauf US).
OKUDO, Takafumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUZUKI, Yuji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKEGAWA, Yoshiyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
BABA, Toru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
GOTOU, Kouji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MIYAJIMA, Hisakazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KATAOKA, Kazushi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAIJO, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OKUDO, Takafumi; (JP).
SUZUKI, Yuji; (JP).
TAKEGAWA, Yoshiyuki; (JP).
BABA, Toru; (JP).
GOTOU, Kouji; (JP).
MIYAJIMA, Hisakazu; (JP).
KATAOKA, Kazushi; (JP).
SAIJO, Takashi; (JP)
Mandataire : NISHIKAWA, Yoshikiyo; Hokuto Patent Attorneys Office Umeda-Daiichiseimei Bldg. 5F 12-17, Umeda 1-chome Kita-ku, Osaka-shi Osaka 5300001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-341223 25.11.2005 JP
2005-371049 22.12.2005 JP
2006-089584 28.03.2006 JP
Titre (EN) SENSOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF DE DETECTION ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) センサ装置及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a thin sensor device having a small sensor characteristic fluctuation. The sensor device includes a sensor unit having a supporting section, a movable section movably held to the supporting section and a detecting section for outputting an electric signal based on the positional displacement of the movable section. The sensor device also includes a base substrate bonded on the surface of the sensor unit. A conductor section is provided on the supporting section, and an electrode having a bump is arranged on the base substrate. The height of the bump is determined so that a distance between the movable section and the base substrate is equal to a distance specified by a dislocation quantity permitted by the movable section. Since the activating surface of the conductor section is directly bonded on the activating surface of the bump at a room temperature, the sensor characteristics are prevented from being fluctuated by residual stress on the bonding section.
(FR)L'invention concerne un dispositif de détection mince présentant une faible variation de caractéristiques de détection. Ce dispositif de détection comprend une unité de détection possédant une partie de support, une partie mobile retenue mobile sur la partie de support et une partie de détection destinée à produire en sortie un signal électrique sur la base du déplacement de la partie mobile. Le dispositif de détection comprend également un substrat de base collé sur la surface de l'unité de détection. Une partie conductrice est disposée sur la partie de support et une électrode comprenant une bosse est disposée sur le substrat de base. La hauteur de la bosse est déterminée de façon qu'une distance entre la partie mobile et le substrat de base soit égale à une distance spécifiée par un degré de déplacement permis par la partie mobile. Etant donné que la surface d'activation de la partie conductrice est directement collée sur la surface d'activation de la bosse à température ambiante, les caractéristiques de détection ne varient pas sous l'effet de la contrainte résiduelle exercée sur la partie de collage.
(JA) センサ特性のバラツキの小さい薄型センサ装置を提供する。このセンサ装置は、支持部と、支持部に対して可動に保持される可動部、および可動部の位置変位に基づいて電気信号を出力する検出部を含むセンサユニットと、このセンサユニットの表面に接合されるベース基板とを含む。支持部には導体部が設けられ、ベース基板にはバンプを有する電極が設けられる。バンプの高さは、可動部とベース基板との間の距離が可動部に許容される変位量によって規定される距離となるように決定される。導体部の活性化表面は、バンプの活性化表面に常温下で直接接合されるので、接合部の残留応力に起因するセンサ特性のバラツキを防止することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)