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1. (WO2007061025) STRUCTURE DE MARQUE, APPAREIL DE MESURE DE MARQUE, APPAREIL DE FORMATION DE MOTIF, APPAREIL DE DÉTECTION DE MOTIF, PROCÉDÉ DE DÉTECTION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/061025    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/323388
Date de publication : 31.05.2007 Date de dépôt international : 24.11.2006
CIB :
H01L 21/027 (2006.01), G03F 9/00 (2006.01)
Déposants : NIKON CORPORATION [JP/JP]; 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008331 (JP) (Tous Sauf US).
HAGIWARA, Tsuneyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HAGIWARA, Tsuneyuki; (JP)
Mandataire : TATEISHI, Atsuji; TATEISHI & CO., Karakida Center Bldg. 1-53-9, Karakida, Tama-shi, Tokyo 2060035 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-337920 24.11.2005 JP
Titre (EN) MARK STRUCTURE, MARK MEASURING APPARATUS, PATTERN FORMING APPARATUS, PATTERN DETECTING APPARATUS, DETECTING METHOD AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) STRUCTURE DE MARQUE, APPAREIL DE MESURE DE MARQUE, APPAREIL DE FORMATION DE MOTIF, APPAREIL DE DÉTECTION DE MOTIF, PROCÉDÉ DE DÉTECTION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF
(JA) マーク構造体、マーク計測装置、パターン形成装置及び検出装置、並びに検出方法及びデバイス製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A wafer mark (M) formed on a wafer has a periodic structure wherein the strength of even-number-order diffracted light is made weaker than that of odd-number-order diffracted light, i.e., reflected light of illuminating light from a light source of an alignment system. Therefore, the measurement error of the positional information of the wafer mark (M) due to the odd-number-order diffracted light is reduced. Furthermore, since the duty ratio of the wafer mark (M) is not necessarily 1:1, the reflectivity of the entire mark is improved and the mark position can be easily measured by the alignment system.
(FR)La marque de galette (M) de l’invention formée sur une galette possède une structure périodique caractérisée en ce que la force de la lumière diffractée en ordre pair est plus faible que celle de la lumière diffractée en ordre impair, c’est-à-dire, la lumière réfléchie de la lumière d’éclairage à partir d’une source de lumière d’un système d’alignement. Ainsi, l’erreur de mesure des informations de position de la marque de galette (M) liée à la lumière diffractée en ordre impair est réduite. De plus, comme le rapport cyclique de la marque de galette (M) n’est pas nécessairement 1:1, la réflectivité de toute la marque est améliorée et la position de la marque peut se mesurer facilement à l’aide du système d’alignement.
(JA) ウエハ上に形成されたウエハマーク(M)が、アライメント系の光源からの照明光の反射光である奇数次数の回折光の強度よりも偶数次数の回折光の強度を弱める周期構造を有しているので、偶数次の回折光によるウエハマーク(M)の位置情報の計測誤差が低減されるようになる。また、ウエハマーク(M)のデューティ比を1対1とする必要がなくなるので、マーク全体の反射率を高め、そのマーク位置をアライメント系により計測しやすくすることが可能となる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)