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1. (WO2007060938) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/060938    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/323190
Date de publication : 31.05.2007 Date de dépôt international : 21.11.2006
CIB :
H01L 21/8238 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 27/092 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (Tous Sauf US).
HASE, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HASE, Takashi; (JP)
Mandataire : MIYAZAKI, Teruo; 8th Floor, 16th Kowa Bldg. 9-20, Akasaka 1-chome Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-337227 22.11.2005 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device which prevents a deviation in work function by having a gate electrode consist of a uniform composition, and is excellent in operating characteristics by effectively controlling Vth. The semiconductor device comprises an NMOS transistor and a PMOS transistor provided with a common linear electrode, characterized in that the linear electrode consists of an electrode portion (A), an electrode portion (B), and a diffusion barrier area provided in a portion on an element isolation area so that the electrode portions (A) and (B) are kept out of contact, and the diffusion barrier area is constituted so as to fulfill at least one of the following conditions (1) and (2). (1) The diffusion coefficient D1 in the above diffusion barrier area of the constituent element A' of the above electrode portion (A) is lower than the interdiffusion coefficient D2 of the constituent element A' between electrode portion (A) materials. (2) The diffusion coefficient D3 in the above diffusion barrier area of the constituent element B' of the above electrode portion (B) is lower than the interdiffusion coefficient D4 of the constituent element B' between electrode portion (B) materials.
(FR)La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur qui empêche la déviation en travail d’extraction grâce au fait qu’il comprend une électrode de gâchette constituée d’une composition uniforme, et dont les caractéristiques de fonctionnement sont excellentes grâce au contrôle efficace de Vth. Le dispositif semi-conducteur comprend un transistor NMOS et un transistor PMOS comportant une électrode linéaire commune, caractérisés en ce que l'électrode linéaire consiste en une partie d’électrode (A), une partie d’électrode (B), et une zone de barrière de diffusion disposée dans une partie d'une zone d'isolation d’élément de sorte que les parties d'électrode (A) et (B) sont maintenues hors contact, et en ce que la zone de barrière de diffusion est constituée de façon à remplir au moins l’une des conditions (1) et (2) suivantes. (1) Le coefficient de diffusion D1 dans la zone de barrière de diffusion ci-dessus de l’élément constituant A’ de la partie d'électrode (A) ci-dessus est inférieur au coefficient d’interdiffusion D2 de l’élément constituant A’ entre les matériaux de la partie d’électrode (A). (2) Le coefficient de diffusion D3 dans la zone de barrière de diffusion ci-dessus de l’élément constituant B’ de la partie d'électrode (B) ci-dessus est inférieur au coefficient d’interdiffusion D4 de l’élément constituant B’ entre les matériaux de la partie d’électrode (B).
(JA) 均一な組成からなるゲート電極とすることによって仕事関数のずれを防止し、Vthを効果的に制御して動作特性に優れた半導体装置を得る。  共通したライン状電極を備えたNMOSトランジスタ及びPMOSトランジスタを有する半導体装置であって、前記ライン状電極は電極部分(A)、電極部分(B)、素子分離領域上の一部に前記電極部分(A)と(B)が接しないように設けられた拡散障壁領域とからなり、拡散障壁領域が、下記(1)及び(2)の少なくとも一方の条件を満たすように構成されていることを特徴とする半導体装置。(1)前記電極部分(A)の構成元素A’の前記拡散障壁領域中における拡散係数Dが、電極部分(A)材料間の前記構成元素A’の相互拡散係数Dよりも低くなる、(2)前記電極部分(B)の構成元素B’の前記拡散障壁領域中における拡散係数Dが、電極部分(B)材料間の前記構成元素B’の相互拡散係数Dよりも低くなる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)