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1. (WO2007060935) POINTEAU DE SONDAGE ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN POINTEAU DE SONDAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/060935    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/323182
Date de publication : 31.05.2007 Date de dépôt international : 21.11.2006
CIB :
G01R 1/067 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1078481 (JP) (Tous Sauf US).
TAKEKOSHI, Kiyoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAWARA, Tsuyoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TAKEKOSHI, Kiyoshi; (JP).
TAWARA, Tsuyoshi; (JP)
Mandataire : KANEMOTO, Tetsuo; Hazuki International, Shinjuku Akebonobashi Building, 1-12, Sumiyoshi-cho, Shinjuku-ku, Tokyo 1620065 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-340132 25.11.2005 JP
Titre (EN) PROBE PIN AND METHOD FOR MANUFACTURING PROBE PIN
(FR) POINTEAU DE SONDAGE ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN POINTEAU DE SONDAGE
(JA) プローブピンとプローブピンの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)[PROBLEMS] To ensure high dimensional accuracy and productivity of a probe pin having a height. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A groove is formed on a side plane of the probe pin, and a leading end side having a contact section is bent from a groove portion. The leading end of the probe pin is sharply formed to be the contact section. The rear end side from the groove on the probe pin is bonded to a connection terminal of a contactor, and the leading end side of the probe pin is bent from the groove portion to the lower side where a wafer is arranged. Electrical characteristics of the wafer are inspected by bringing the contact section of the probe pin into contact with the wafer.
(FR)L'invention vise à garantir une haute précision dimensionnelle et une haute productivité de fabrication d'un pointeau de sondage qui présente une certaine hauteur. L'invention concerne un pointeau de sondage sur un plan latéral duquel est formée une rainure, un côté d'extrémité de tête doté d'une partie de contact étant rabattu par rapport à la partie de rainure. L'extrémité de tête du pointeau de sondage est effilée de manière à former la partie de contact. Le côté d'extrémité arrière depuis la rainure ménagée sur le pointeau de sondage est relié à une borne de raccordement d'un contacteur et le côté d'extrémité de tête du pointeau de sondage est rabattu par rapport à la partie rainurée en direction du côté inférieur, où une galette de semiconducteur est disposée. Les caractéristiques électriques de la galette de semiconducteur sont inspectées en amenant la partie de contact du pointeau de sondage en contact avec la galette de semiconducteur.
(JA)【課題】高さのあるプローブピンの高い寸法精度と生産性を確保する。 【解決手段】プローブピンの側面に溝を形成し、接触部のある先端部側を溝の部分から屈折させる。プローブピンの先端を尖状に形成し、接触部にする。プローブピンの溝より後端部側をコンタクタの接続端子に接合し、プローブピンの先端部側は、溝の部分からウェハのある下側に折り曲げられる。プローブピンの接触部をウェハに接触させて、ウェハの電気的特性の検査を行う。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)