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1. (WO2007060881) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/060881    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/322924
Date de publication : 31.05.2007 Date de dépôt international : 17.11.2006
CIB :
H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01), H01L 21/8242 (2006.01), H01L 27/092 (2006.01), H01L 27/108 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. [JP/JP]; MITSUBISHI Building, 5-2, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008324 (JP) (Tous Sauf US).
SOTOAKA, Ryuji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
AZUMA, Tomoyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SOTOAKA, Ryuji; (JP).
AZUMA, Tomoyuki; (JP)
Mandataire : MATSUO, Kenichiro; 7th Floor, Shinkumi Akasaka Bldg. 10-17, Akasaka 1-chome Chuo-ku, Fukuoka-shi, Fukuoka 8100042 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-337835 22.11.2005 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A gate insulating film is formed by high-temperature thermal oxidation of a silicon substrate. Consequently, an oxide film is formed all over the substrate. Specifically disclosed is a method for manufacturing a semiconductor device comprising a step for exposing a surface of a silicon substrate; a step for bringing a solution, wherein nitrous oxide is dissolved, into contact with the exposed surface; a step for forming a gate insulating film composed of a silicon oxide film by oxidizing the silicon substrate surface by irradiating the region in contact with the solution with ultraviolet light; and a step for forming a field effect transistor by forming an electrode on the gate insulating film.
(FR)Dans la présente invention une pellicule d’isolation de gâchette est formée par oxydation thermique à haute température sur un substrat de silicium. Cela permet de déposer une pellicule d’oxyde sur l’ensemble du substrat. La présente invention concerne spécifiquement un procédé de fabrication d’un dispositif semi-conducteur dont les étapes consiste à exposer la surface d’un substrat de silicium ; à mettre une solution, dans laquelle est dissous de l’oxyde nitreux, en contact avec la surface exposée ; à déposer une pellicule d’isolation de gâchette composée d’une pellicule d’oxyde de silicium en oxydant la surface du substrat de silicium en irradiant la zone en contact avec la solution avec une lumière ultraviolette ; et à constituer un transistor à effet de champ en formant une électrode sur la pellicule d’isolation de gâchette.
(JA) ゲート絶縁膜はシリコン基板を高温熱酸化により形成したので基板全体に酸化膜が形成された。  シリコン基板の表面を露出させる工程と、前記露出した表面に亜酸化窒素を溶解させた溶液を接触させる工程と、前記溶液が接触する領域に紫外光を照射して前記シリコン基板の表面を酸化させてシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜の上に電極を形成して電界効果型トランジスタを形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)