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1. (WO2007060787) BOÎTE DE BORNES POUR UN PANNEAU DE PILES SOLAIRES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/060787    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/319779
Date de publication : 31.05.2007 Date de dépôt international : 03.10.2006
CIB :
H01L 31/042 (2006.01)
Déposants : ONAMBA CO., LTD. [JP/JP]; 1-27, Fukae-Kita 3-chome, Higashinari-ku, Osaka-shi, Osaka 5370001 (JP) (Tous Sauf US).
NAGAI, Tsuyoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ISHIDA, Jun [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NAGAI, Tsuyoshi; (JP).
ISHIDA, Jun; (JP)
Mandataire : KAZAHAYA, Nobuaki; Shin-Ei Building 6th Fl., 6-20, Tosabori 1-chome, Nishi-ku, Osaka-shi, Osaka 5500001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-341319 28.11.2005 JP
Titre (EN) TERMINAL BOX FOR SOLAR BATTERY PANEL
(FR) BOÎTE DE BORNES POUR UN PANNEAU DE PILES SOLAIRES
(JA) 太陽電池パネル用端子ボックス
Abrégé : front page image
(EN)There is provided a means for effectively preventing the temperature rise of a bypass diode occurring when the diode is operating in a terminal box for a crystalline silicon solar battery panel. The means is characterized in that a Schottkey barrier diode is used as the bypass diode. The forward voltage drop of the Schottkey barrier diode preferably has a value less than or equal to a specific value at a specific junction temperature. In particular, as the Schottkey barrier diode, it is preferable to use a surface-mounted type of or a non-insulated type packaged diode.
(FR)La présente invention concerne un moyen d’empêcher efficacement l’augmentation de température d’une diode de dérivation se produisant lorsque la diode fonctionne dans un boîtier de bornes pour un panneau de piles solaires en silicium cristallin. Ce moyen est caractérisé en ce qu’une diode à barrière Schottky est utilisée comme diode de dérivation. La chute de tension en sens direct de la diode à barrière Schottky présente de préférence une valeur inférieure ou égale à une valeur spécifique à une température de jonction spécifique. En particulier, comme diode à barrière Schottky, il est préférable d'utiliser une diode en boîtier de type non isolé ou de type montée en surface.
(JA) 結晶系シリコン太陽電池パネル用端子ボックスにおいて、バイパスダイオードの動作時のダイオードの温度上昇を効果的に防止する手段を提供する。結晶系シリコン太陽電池パネル用端子ボックスにおいて、バイパスダイオードとしてショットキーバリアダイオードを使用することを特徴とする。ショットキーバリアダイオードの順方向電圧降下は特定のジャンクション温度で特定の値以下であることが好ましく、ショットキーバリアダイオードは特に面実装型又は非絶縁型のパッケージダイオードを用いることが好ましい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)