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1. (WO2007060745) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/060745    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/021810
Date de publication : 31.05.2007 Date de dépôt international : 28.11.2005
CIB :
H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01)
Déposants : FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588 (JP) (Tous Sauf US).
NAGAI, Kouichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAIGOH, Kaoru [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NAGAI, Kouichi; (JP).
SAIGOH, Kaoru; (JP)
Mandataire : KITANO, Yoshihito; Exceed Yotsuya 2nd Floor 9 Daikyo-cho Shinjuku-ku, Tokyo 1600015 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor device comprising a capacitor (36) formed on a semiconductor substrate (10) and having a lower electrode (30), a dielectric film (32) formed on the lower electrode (30) and an upper electrode (34) formed on the dielectric film (32); an insulating film (68) formed on the semiconductor substrate (10) and the capacitor (36); and an electrode pad (74b) formed on the insulating film (68) and having an aluminum-magnesium alloy film (100). Since the electrode pad has an aluminum-magnesium alloy film, damages to the electrode or strong impacts to the insulating film pad can be prevented. Consequently, hydrogen or moisture is prevented from reaching the dielectric film of the capacitor through the electrode pad, the insulating film and the like, thereby preventing a metal oxide in the dielectric film from being reduced by hydrogen.
(FR)La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur comprenant un condensateur (36) disposé sur un substrat semi-conducteur (10) et comportant une électrode inférieure (30), une pellicule diélectrique (32) disposée sur l'électrode inférieure (30) et une électrode supérieure (34) disposée sur la pellicule diélectrique (32) ; une pellicule isolante (68) disposée sur le substrat semi-conducteur (10) et le condensateur (36) ; et une pastille d’électrode (74b) disposée sur la couche isolante (68) et comportant une pellicule d’alliage aluminium-magnésium (100). Puisque la pastille d’électrode comporte une pellicule d’alliage aluminium-magnésium, les dégâts causés à l’électrode ou les chocs importants sur la pastille de pellicule isolante peuvent être évités. Par conséquent, l’hydrogène ou l’humidité ne peuvent pas atteindre la pellicule diélectrique du condensateur à travers la pastille d'électrode, la pellicule isolante et similaire, ce qui empêche un oxyde métallique de la pellicule diélectrique d'être réduit par l'hydrogène.
(JA) 半導体基板10上に形成され、下部電極30と;下部電極30上に形成された誘電体膜32と;誘電体膜32上に形成された上部電極34とを有するキャパシタ36と、半導体基板10上及びキャパシタ36上に形成された絶縁膜68と、絶縁膜68上に形成され、アルミニウムとマグネシウムとの合金膜100を有する電極パッド74bとを有している。電極パッドがアルミニウムとマグネシウムとの合金膜を有しているため、電極パッドの破損を防止することができ、また、絶縁膜に強い衝撃が加わるのを防止することができる。このため、水素や水分が電極パッド及び絶縁膜等を介してキャパシタの誘電体膜に達するのを防止することができ、誘電体膜を構成する金属酸化物が水素により還元されるのを防止することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)