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1. (WO2007060716) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE À GRILLE EN TRANCHÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/060716    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/021490
Date de publication : 31.05.2007 Date de dépôt international : 22.11.2005
CIB :
H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 2-1, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP) (Tous Sauf US).
TAKEMORI, Toshiyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
WATANABE, Yuji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SASAOKA, Fuminori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MATSUYAMA, Kazushige [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OSHIMA, Kunihito [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ITOI, Masato [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TAKEMORI, Toshiyuki; (JP).
WATANABE, Yuji; (JP).
SASAOKA, Fuminori; (JP).
MATSUYAMA, Kazushige; (JP).
OSHIMA, Kunihito; (JP).
ITOI, Masato; (JP)
Mandataire : MATSUO, Nobutaka; MATSUO & EMORI Intellectual Property Services Nagano Branch 9862-60, Ochiai, Fujimi-machi Suwa-gun, Nagano 3990214 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) TRENCH GATE POWER SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE À GRILLE EN TRANCHÉE
(JA) トレンチゲートパワー半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)A trench gate power MOSFET (1) comprises: an n--type epitaxial layer (12); a p-type body region (20) formed in the vicinity of the upper surface of the n--type epitaxial layer (12); a plurality of trenches (14) formed so as to reach the n--type epitaxial layer (12) from the upper surface of the p-type body region (20); and gates (18) formed in the trenches (14). In some of regions facing the p-type body region (20) in the n--type epitaxial layer (12), p-type carrier extracting regions (26a, 26b, 26c) are formed. According to the trench gate power MOSFET (1), holes generated in a cell region can be effectively collected through the p-type carrier extracting regions (26a, 26b, 26c), so as to further increase the speed of the switching operation.
(FR)Le MOSFET de puissance (1) à grille en tranchée selon l’invention comprend : une couche épitaxiale de type n- (12) ; une zone de corps de type p (20) créée à proximité de la surface supérieure de la couche épitaxiale de type n- (12) ; une pluralité de tranchées (14) creusées de façon à atteindre la couche épitaxiale de type n- (12) depuis la surface supérieure de la zone de corps de type p (20) ; et des grilles (18) disposées dans les tranchées (14). Dans des zones faisant face à la zone de corps de type p (20) dans la couche épitaxiale de type n- (12), des zones d’extraction de porteurs de type p (26a, 26b, 26c) sont créées. Dans ce MOSFET de puissance (1) à grille en tranchée, les trous générés dans une zone de cellule peuvent être collectés efficacement au moyen des zones d’extraction de porteurs de type p (26a, 26b, 26c), de façon a augmenter encore la vitesse des opérations de commutation.
(JA) 本発明のトレンチゲートパワーMOSFET1は、n-型エピタキシャル層12と、n-型エピタキシャル層12における上面近傍に形成されたp型ボディ領域20と、p型ボディ領域20の上面側からn-型エピタキシャル層12に達するように形成された複数本の溝14と、複数本の溝14の中に形成されたゲート18とを含むトレンチゲートパワーMOSFETであって、n-型エピタキシャル層12におけるp型ボディ領域20に対向する領域のうち一部の領域には、p型キャリア引き抜き領域26a,26b,26cが形成されている。  このため、本発明のトレンチゲートパワーMOSFET1によれば、セル領域に発生するホールを、p型キャリア引き抜き領域26a,26b,26cを介して効率よく回収することが可能になり、スイッチング動作のさらなる高速化を図ることが可能なトレンチゲートパワーMOSFETを提供することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)