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1. (WO2007060668) ZONES DE TRANSITION POUR RESEAUX DENSES DE MEMOIRES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/060668    N° de la demande internationale :    PCT/IL2006/001358
Date de publication : 31.05.2007 Date de dépôt international : 26.11.2006
CIB :
G06F 12/00 (2006.01)
Déposants : SAIFUN SEMICONDUCTORS LTD. [IL/IL]; Elrod Building, 45 Hamelacha Street Sapir Industrial Area 42505 Netanya (IL) (Tous Sauf US).
EITAN, Boaz [IL/IL]; (IL) (US Seulement).
IRANI, Rustom [US/US]; (US) (US Seulement).
SHAPPIR, Assaf [IL/IL]; (IL) (US Seulement)
Inventeurs : EITAN, Boaz; (IL).
IRANI, Rustom; (US).
SHAPPIR, Assaf; (IL)
Mandataire : EITAN LAW GROUP; P.o. Box 2081, Industrial Zone, 46120 Herzlia (IL)
Données relatives à la priorité :
60/739,426 25.11.2005 US
60/800,021 15.05.2006 US
60/800,022 15.05.2006 US
Titre (EN) TRANSITION AREAS FOR DENSE MEMORY ARRAYS
(FR) ZONES DE TRANSITION POUR RESEAUX DENSES DE MEMOIRES
Abrégé : front page image
(EN)A non-volatile memory chip has word lines spaced a sub-F (sub-minimum feature size F) width apart with extensions of the word lines in at least two transition areas. Neighboring extensions are spaced at least F apart. The present invention also includes a method for word-line patterning of a non-volatile memory chip which includes generating sub-F word lines with extensions in transition areas for connecting to peripheral transistors from mask generated elements with widths of at least F.
(FR)L'invention porte sur une puce de mémoire non volatile présentant des lignes de mots espacées d'une distance sub-F (inférieure à la taille d'un pas caractéristique F) avec des extensions des lignes de mots dans au moins une zone de transition, les extensions voisines étant espacées d'au moins F. L'invention porte également sur un procédé de dessin de puce de mémoire non volatile consistant à créer des lignes de mots sub-F dont les extensions dans les zones de transition de connexion à des transistors périphériques à partir d'éléments obtenus par masquage de largeurs d'au moins F.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)