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1. (WO2007059887) PLAQUETTE DE SUPPORT BIPOLAIRE ET DISPOSITIF DE PLAQUETTES MOBILE BIPOLAIRE ÉLECTROSTATIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/059887    N° de la demande internationale :    PCT/EP2006/010963
Date de publication : 31.05.2007 Date de dépôt international : 15.11.2006
CIB :
H01L 21/683 (2006.01), H02N 13/00 (2006.01)
Déposants : FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Hansastrasse 27c, 80686 München (DE) (Tous Sauf US).
WIELAND, Robert [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
BOLLMANN, Dieter [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : WIELAND, Robert; (DE).
BOLLMANN, Dieter; (DE)
Mandataire : PFENNING, MEINIG & PARTNER GbR; Theresienhöhe 13, 80339 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2005 056 364.3 25.11.2005 DE
Titre (DE) BIPOLARER TRÄGERWAFER UND MOBILE, BIPOLARE, ELEKTROSTATISCHE WAFERANORDNUNG
(EN) BIPOLAR CARRIER WAFER AND MOBILE BIPOLAR ELECTROSTATIC WAFER ARRANGEMENT
(FR) PLAQUETTE DE SUPPORT BIPOLAIRE ET DISPOSITIF DE PLAQUETTES MOBILE BIPOLAIRE ÉLECTROSTATIQUE
Abrégé : front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen bipolaren Trägerwafer und eine mobile, bipolare elektrostatische Waferanordnung. Derartige Trägerwafer und Waferanordnungen können insbesondere im Bereich der Handhabungstechnik von Halbleiterwafern eingesetzt werden. Der erfindungsgemäße Trägerwafer dient zur Halterung eines scheibenförmigen Halbleiterbauteils. Er weist eine erste Oberfläche (2a) als Vorderseite und eine der ersten Oberfläche (2a) gegenüber liegende zweite Oberfläche (2b) als Rückseite auf. Der Trägerwafe ist so ausgestaltet, dass er eine Trägerschicht (2), eine die Trägerschicht umgebende elektrisch isolierende Hüllschicht (3) und eine elektrisch leitfähige Schicht (4) aufweist, wobei letztere auf der elektrisch isolierenden Hüllschicht angeordnet ist und in mindestens zwei elektrisch voneinander getrennten Bereichen als Elektroden strukturiert ist. Auf der Rückseite (2b) des Trägerwafers sind elektrische Kontakte angeordnet, wobei diese elektrischen Kontakte mit den beiden auf der Vorderseite (2a) angeordneten Elektroden verbunden sind. Auf der elektrisch leitfähigen Schicht (4) ist weiterhin eine elektrisch isolierende Hüllschicht (8) angeordnet, die sowohl die Vorderseite (2a) als auch die Kante des Trägerwafers zwischen der Vorderseite (2a) und der Rückseite (2b) bedeckt.
(EN)The present invention relates to a bipolar carrier wafer and to a mobile bipolar electrostatic wafer arrangement. Such carrier wafers and wafer arrangements can be used, in particular, in the field of the technology for handling semiconductor wafers. The carrier wafer according to the invention is used to hold a semiconductor component which is in the form of a wafer. It has a first surface (2a) as a front side and a second surface (2b), which is opposite the first surface (2a), as a rear side. The carrier wafer is configured in such a manner that it has a carrier layer (2), an electrically insulating covering layer (3) which surrounds the carrier layer, and an electrically conductive layer (4) which is arranged on the electrically insulating covering layer and is structured in at least two regions, which are electrically isolated from one another, as electrodes. Electrical contacts are arranged on the rear side (2b) of the carrier wafer, wherein these electrical contacts are connected to the two electrodes arranged on the front side (2a). An electrically insulating covering layer (8) which covers both the front side (2a) and the edge of the carrier wafer between the front side (2a) and the rear side (2b) is also arranged on the electrically conductive layer (4).
(FR)La présente invention concerne une plaquette de support bipolaire et un dispositif de plaquettes mobile, bipolaire électrostatique. La plaquette de support et le dispositif de plaquettes peuvent en particulier être mis en œuvre dans le domaine de la technique de manipulation de plaquettes semi-conductrices. La plaquette de support selon l’invention sert à maintenir un composant semi-conducteur en forme de disque. Elle comporte une première surface (2a) comme face avant et une deuxième surface (2b) opposée à la première surface (2a) comme face arrière. La plaquette de support est configurée de telle sorte qu'elle comporte une couche de support (2), une couche de revêtement (3) électriquement isolante entourant la couche de support et une couche électriquement conductrice (4), cette dernière étant disposée sur la couche de revêtement électriquement isolante et formant dans au moins deux zones électriquement séparées l’une de l’autre des électrodes. Sur la face arrière (2b) de la plaquette de support sont disposés des contacts électriques, connectés aux deux électrodes disposées sur la face avant (2a). Sur la couche électriquement conductrice (4) est en outre disposée une couche de revêtement (8) électriquement isolante qui recouvre aussi bien la face avant (2a) que les bords de la plaquette de support entre la face avant (2a) et la face arrière (2b).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)