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1. (WO2007059146) DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR COMPORTANT UNE ZONE ACTIVE LATERALEMENT INJECTEE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/059146    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/044221
Date de publication : 24.05.2007 Date de dépôt international : 14.11.2006
CIB :
H01L 27/15 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 BOWERS AVENUE, Santa Ana, CA 95054 (US) (Tous Sauf US).
WEST, Lawrence, C. [US/US]; (US) (US Seulement).
LEON, Francisco, A. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : WEST, Lawrence, C.; (US).
LEON, Francisco, A.; (US)
Mandataire : PRAHL, Eric, L.; WILMER CUTLER PICKERING HALE AND DORR LLP, 60 STATE STREET, Boston, MA 02109 (US)
Données relatives à la priorité :
60/736,480 14.11.2005 US
Titre (EN) LED HAVING LATERAL CURRENT INJECTION ACTIVE REGION
(FR) DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR COMPORTANT UNE ZONE ACTIVE LATERALEMENT INJECTEE
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device including: a quantum well having photon emission energy level, the quantum well having at least one active layer and two barrier layers, one disposed above the active layer and one disposed below the active layer; and injection regions for injecting electrons into the quantum well, wherein the electrons are cool electrons with respect to the active layer of the quantum well.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semiconducteur comprenant: un puits quantique à niveau d'énergie d'émission de photons, ce puits quantique possédant au moins une couche active et deux couches barrières, l'une placée en dessus de la couche active et l'autre en dessous; des zones d'injection destinées à injecter des électrons dans le puits quantique, ces électrons étant frais par rapport à la couche active du puits quantique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)