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1. (WO2007059027) SYSTEME DE TRAITEMENT THERMIQUE, COMPOSANTS ET METHODES ASSOCIES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/059027    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/043981
Date de publication : 24.05.2007 Date de dépôt international : 13.11.2006
CIB :
H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : DSG TECHNOLOGIES [US/US]; 135 E. Main Avenue, Suite 170, Morgan Hill, California 95037 (US) (Tous Sauf US).
KOWALSKI, Jeffrey, Michael [US/US]; (US).
KOWALSKI, Jeffrey, Edward [US/US]; (US)
Inventeurs : KOWALSKI, Jeffrey, Michael; (US).
KOWALSKI, Jeffrey, Edward; (US)
Mandataire : STEFFEY, Charles, E.; Schwegman, Lundberg & Woessner, P.A., P. O. Box 2938, Minneapolis, Minnesota 55402 (US)
Données relatives à la priorité :
60/735,382 11.11.2005 US
Titre (EN) THERMAL PROCESSING SYSTEM, COMPONENTS, AND METHODS
(FR) SYSTEME DE TRAITEMENT THERMIQUE, COMPOSANTS ET METHODES ASSOCIES
Abrégé : front page image
(EN)Thermal treatment is an important process in the manufacture of integrated circuits. As integrated circuits evolve to become smaller and faster, there is an increasing need to for higher precision thermal treatment systems that can efficiently and uniformly heat these circuits without damaging them. Accordingly, the present inventors devised, among other things, an exemplary thermal treatment system that includes a microwave-reflective containment chamber, an inner microwave-transparent process chamber within the containment chamber, a microwave-transparent wafer carrier within the process chamber; and a 5.8 Gigahertz microwave source for introducing microwave radiation within the outer chamber. The system can be used to efficiently oxidize a batch of vertically stacked of silicon wafers using a 10% concentration of ozone.
(FR)L'invention concerne un procédé de traitement thermique constituant une partie importante dans la fabrication de circuits intégrés. Les circuits intégrés évoluent pour devenir plus petits et plus rapides, on assiste alors à une demande croissante pour des systèmes de traitement thermique de haute précision qui peuvent chauffer efficacement et uniformément ces circuits sans les endommager. L'invention répond à cette demande en proposant un système de traitement thermique adapté. Un système de traitement thermique d'exemple de l'invention comprend un compartiment de confinement réfléchissant les micro-ondes, un compartiment de traitement intérieur transparent aux micro-ondes monté à l'intérieur du compartiment de confinement, un support de plaquette transparent aux micro-ondes monté à l'intérieur du compartiment de traitement; et une source de micro-ondes de 5,8 gigahertz destinée à introduire un rayonnement micro-onde à l'intérieur du compartiment extérieur. Ce système peut être utilisé pour oxyder de manière efficace un lot de plaquettes de silicium verticalement empilées, à l'aide d'une concentration d'ozone à 10 %.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)