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1. (WO2007058846) EFFET DE COUPLAGE INVERSE AVEC DES INFORMATIONS DE SYNCHRONISATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/058846    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/043483
Date de publication : 24.05.2007 Date de dépôt international : 08.11.2006
CIB :
G11C 16/26 (2006.01)
Déposants : SANDISK CORPORATION [US/US]; 601 MCCARTHY BOULEVARD, Milpitas, CA 95035 (US) (Tous Sauf US).
CHEN, Jian [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CHEN, Jian; (US)
Mandataire : MAGEN, Burt; VIERRA MAGEN MARCUS & DENIRO, LLP, 575 Market Street, Suite 2500, San Francisco, CA 94105 (US)
Données relatives à la priorité :
11/272,335 10.11.2005 US
11/271,241 10.11.2005 US
Titre (EN) REVERSE COUPLING EFFECT WITH TIMING INFORMATION
(FR) EFFET DE COUPLAGE INVERSE AVEC DES INFORMATIONS DE SYNCHRONISATION
Abrégé : front page image
(EN)Shifts in the apparent charge stored on a floating gate (or other charge storing element) of a non-volatile memory cell can occur because of the coupling of an electric field based on the charge stored in neighboring floating gates (or other neighboring charge storing elements). The problem occurs most pronouncedly between sets of adjacent memory cells that have been programmed at different times. To compensate for this coupling, the read process for a given memory cell will take into account the programmed state of a neighbor memory cell if the neighbor memory cell was programmed subsequent to the given memory cell. Techniques for determining whether the neighbor memory cell was programmed before or after the given memory cell are disclosed.
(FR)Des changements de charge apparente stockée sur une grille flottante (ou tout autre élément de stockage de charge) d'une cellule de mémoire non volatile peuvent se produire en raison du couplage d'un champ électrique basé sur la charge stockée dans des grilles flottantes voisines (ou tous les autres éléments de stockage de charge voisins). Le problème se présente de manière plus prononcée entre des séries de cellules de mémoire adjacentes qui ont été programmées à des moments différents. Afin de compenser ce couplage, le processus de lecture pour une cellule de mémoire donnée prend en compte l'état programmé d'une cellule de mémoire voisine, si ladite cellule a été programmée après la cellule de mémoire donnée. Cette invention a aussi pour objet des techniques de détermination visant à savoir si la cellule de mémoire voisine a été programmée avant ou après la cellule de mémoire donnée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)