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1. (WO2007058436) DISPOSITIF DE MEMOIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/058436    N° de la demande internationale :    PCT/KR2006/004058
Date de publication : 24.05.2007 Date de dépôt international : 10.10.2006
CIB :
H01L 27/105 (2006.01)
Déposants : IFERRO CO., LTD. [KR/KR]; #315 NKIC, 48-84 Hongeun-dong, Seodaemun-gu, Seoul 120-100 (KR) (Tous Sauf US).
PARK, Byung-Eun [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : PARK, Byung-Eun; (KR)
Mandataire : KIM, Yoo; Sarang Internationl Patant & Law Office, 2-202 Taewon-Building, 745-15 Yeoksam-dong, Gangnam-gu, Seoul 135-925 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2005-0109298 15.11.2005 KR
10-2006-0097901 09.10.2006 KR
Titre (EN) MEMORY DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE MEMOIRE
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed relates to a memory device fabricated in a simplified structure excluding a switch element and a storing element and providing non-volatile storage and read of data. The memory device in accordance with the present invention comprises: a substrate; a plurality of lower electrodes established in parallel with each other on the substrate; a ferroelectric layer provided on the lower electrodes; and a plurality of upper electrodes arranged in parallel with each other and in an orthogonal direction to the lower electrodes on the ferroelectric layer.
(FR)La présente invention a trait à un dispositif de mémoire fabriqué en une structure simplifiée excluant un élément de commutation et un élément de stockage et fournissant une mémoire non volatile et la lecture de données. Le dispositif de mémoire selon la présente invention comporte: un substrat; une pluralité d'électrodes disposées en parallèle les unes aux autres sur le substrat; une couche ferroélectrique disposée sur les électrodes inférieures; et une pluralité d'électrodes supérieures disposées en parallèle les unes aux autres dans une direction orthogonale aux électrodes inférieures sur la couche ferroélectrique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)