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1. (WO2007058365) COMPOSITION POUR LA FORMATION D’UN FILM PAR DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ET PROCEDE DE PRODUCTION D’UN FILM DE FAIBLE CONSTANTE DIELECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/058365    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/323251
Date de publication : 24.05.2007 Date de dépôt international : 15.11.2006
CIB :
C23C 16/38 (2006.01), H01L 21/314 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo, 1008310 (JP) (JP only).
NIPPON SHOKUBAI CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Koraibashi 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka, 5410043 (JP) (Tous Sauf US).
KUMADA, Teruhiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NOBUTOKI, Hideharu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YASUDA, Naoki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMAMOTO, Tetsuya [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKATANI, Yasutaka [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAMIYAMA, Takuya [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KUMADA, Teruhiko; (JP).
NOBUTOKI, Hideharu; (JP).
YASUDA, Naoki; (JP).
YAMAMOTO, Tetsuya; (JP).
NAKATANI, Yasutaka; (JP).
KAMIYAMA, Takuya; (JP)
Mandataire : HATTA, Mikio; Dia Palace Nibancho, 11-9, Nibancho, Chiyoda-ku, Tokyo, 1020084 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-333077 17.11.2005 JP
2005-334494 18.11.2005 JP
Titre (EN) COMPOSITION FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION FILM-FORMATION AND METHOD FOR PRODUCTION OF LOW DIELECTRIC CONSTANT FILM
(FR) COMPOSITION POUR LA FORMATION D’UN FILM PAR DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ET PROCEDE DE PRODUCTION D’UN FILM DE FAIBLE CONSTANTE DIELECTRIQUE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a composition for chemical vapor deposition film-formation comprising a borazine compound represented by the Chemical Formula 1 satisfying at least one of a condition that content of each halogen atom in the composition is 100 ppb or less or a condition that content of each metal element in the composition is 100 ppb or less. In the Chemical Formula 1, R1 may be the same or different, and is hydrogen atom, alkyl group, alkenyl group or alkynyl group, and at least one thereof is hydrogen atom; R2 may be the same or different, and is hydrogen atom, alkyl group, alkenyl group or alkynyl group, and at least one thereof is alkyl group, alkenyl group or alkynyl group. By using the composition, physical properties such as low dielectric constant property and mechanical strength of the thin film produced from a borazine-ring-containing compound can be improved. [Chemical Formula 1]
(FR)La présente invention concerne une composition pour la formation d’un film par dépôt chimique en phase vapeur comprenant un composé borazine représenté par la formule chimique (1) satisfaisant au moins une condition en ce que la teneur en chaque atome d'halogène dans la composition est inférieure ou égale à 100 parties par milliard ou une condition en ce que la teneur en chaque élément métallique dans la composition est inférieure ou égale à 100 parties par milliard. Dans la formule chimique (1), chaque R1 peut être identique ou différent, et représente un atome d'hydrogène, un groupe alkyle, un groupe alcényle ou un groupe alcynyle, et au moins un de ceux-ci est un atome d'hydrogène ; chaque R2 peut être identique ou différent, et représente un atome d'hydrogène, un groupe alkyle, un groupe alcényle ou un groupe alcynyle, et au moins un de ceux-ci est un groupe alkyle, un groupe alcényle ou un groupe alcynyle. Lorsque l’on utilise la composition, les propriétés physiques telles qu’une faible constante diélectrique et la résistance mécanique du film mince produit à partir d'un composé contenant un cycle borazine peuvent être améliorées. [Formule chimique 1]
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)