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1. (WO2007058262) PROCEDE DE TRAITEMENT LASER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/058262    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/322871
Date de publication : 24.05.2007 Date de dépôt international : 16.11.2006
CIB :
H01L 21/301 (2006.01), B23K 26/16 (2006.01), B23K 26/38 (2006.01), B23K 26/40 (2006.01), B23K 101/40 (2006.01)
Déposants : HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558 (JP) (Tous Sauf US).
SAKAMOTO, Takeshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SAKAMOTO, Takeshi; (JP)
Mandataire : HASEGAWA, Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Ginza First Bldg., 10-6 Ginza 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040061 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-334734 18.11.2005 JP
Titre (EN) LASER PROCESSING METHOD
(FR) PROCEDE DE TRAITEMENT LASER
(JA) レーザ加工方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a laser processing method wherein particles are surely prevented from adhering on a chip obtained by cutting a board-shaped object to be processed. At the time of applying a stress to the object (1) to be processed through an expand tape (23), matters formed of the object (1) (the object (1) whereupon a melting treatment region (13) is formed, a semiconductor chip (25) obtained by cutting the object (1), particles generated from a cut plane of the semiconductor chip (25), and the like) are irradiated with soft x-rays. Thus, the particles generated from the cut plane of the semiconductor chip (25) drop onto the expand tape (23) without scattering at random. Thus, particles are surely prevented from adhering on the semiconductor chip (25) obtained by cutting the object (1).
(FR)La présente invention concerne un procédé de traitement laser permettant de bien éviter que des particules n’adhèrent sur une puce obtenue par découpe d’un objet en forme de carte à traiter. Lors de l’application d’une contrainte à l’objet (1) en question au moyen d’une bande d’extension (23), des éléments formés de l’objet (1) (l’objet (1) sur lequel une zone de traitement par fusion (13) est formée, une puce à semi-conducteur (25) obtenue par découpe de l’objet (1), des particules provenant d’un plan de coupe de la puce à semi-conducteur (25) et similaire) sont irradiés avec des rayons X mous. Ainsi, les particules provenant du plan de coupe de la puce à semi-conducteur (25) tombent sur la bande d’extension (23) sans dispersion aléatoire. On peut donc bien éviter que des particules n’adhèrent sur la puce à semi-conducteur (25) obtenue par découpe de l’objet (1).
(JA) 板状の加工対象物が切断されることで得られるチップにパーティクルが付着するのを確実に防止することができるレーザ加工方法を提供する。エキスパンドテープ23を介して加工対象物1に応力を印加する際に、加工対象物1の形成物質(溶融処理領域13が形成された加工対象物1、加工対象物1が切断されることで得られた半導体チップ25、その半導体チップ25の切断面から生じたパーティクル等)に軟X線を照射する。これにより、半導体チップ25の切断面から生じたパーティクルは、ランダムに飛散することなく、エキスパンドテープ23上に落下することになる。従って、加工対象物1が切断されることで得られる半導体チップ25にパーティクルが付着するのを確実に防止することが可能になる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)