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1. (WO2007058183) DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOELECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/058183    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/322695
Date de publication : 24.05.2007 Date de dépôt international : 08.11.2006
CIB :
H01L 31/10 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H01L 29/41 (2006.01)
Déposants : SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa, 2430036 (JP) (Tous Sauf US).
ARAO, Tatsuya; (US Seulement).
KUSUMOTO, Naoto [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMADA, Daiki; (US Seulement).
TAKAHASHI, Hidekazu; (US Seulement).
NISHI, Kazuo; (US Seulement).
SUGAWARA, Yuusuke; (US Seulement).
TAKAHASHI, Hironobu; (US Seulement).
FUKAI, Shuji; (US Seulement)
Inventeurs : ARAO, Tatsuya; .
KUSUMOTO, Naoto; (JP).
YAMADA, Daiki; .
TAKAHASHI, Hidekazu; .
NISHI, Kazuo; .
SUGAWARA, Yuusuke; .
TAKAHASHI, Hironobu; .
FUKAI, Shuji;
Données relatives à la priorité :
2005-334854 18.11.2005 JP
Titre (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOELECTRIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A photoelectric conversion device provided with a photoelectric conversion layer between a first electrode and a second electrode is formed. The first electrode is partially in contact with the photoelectric conversion layer, and a cross-sectional shape of the first electrode in the contact portion is a taper shape. In this case, part of a first semiconductor layer with one conductivity type is in contact with the first electrode. A planer shape in an edge portion of the first electrode is preferably nonangular, that is, a shape in which edges are planed or a curved shape. By such a structure, concentration of an electric field and concentration of a stress can be suppressed, whereby characteristic deterioration of the photoelectric conversion device can be reduced.
(FR)La présente invention concerne un dispositif de conversion photoélectrique comprenant une couche de conversion photoélectrique formée entre une première électrode et une seconde électrode. La première électrode est partiellement en contact avec la couche de conversion photoélectrique, et une coupe transversale de la première électrode dans la zone de contact est de forme conique. Dans ce cas, une partie d’une première couche semi-conductrice avec un type de conductivité est en contact avec la première électrode. Une forme planaire d’un bord de la première électrode est de préférence non angulaire (à savoir, forme à bords planes ou courbes). Une telle structure permet d’éviter une concentration de champ électrique et une concentration de contrainte, d’où une moindre altération des caractéristiques du dispositif de conversion photoélectrique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)