WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2007058088) CIRCUIT INTEGRE A SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/058088    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/322185
Date de publication : 24.05.2007 Date de dépôt international : 07.11.2006
CIB :
G11C 11/15 (2006.01), G05F 1/563 (2006.01), H01L 21/822 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01)
Déposants : NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (Tous Sauf US).
HONDA, Takeshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAKIMURA, Noboru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUGIBAYASHI, Tadahiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HONDA, Takeshi; (JP).
SAKIMURA, Noboru; (JP).
SUGIBAYASHI, Tadahiko; (JP)
Mandataire : KUDOH, Minoru; 6F, KADOYA BLDG. 24-10, Minamiooi 6-chome Shinagawa-ku, Tokyo 1400013 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-332391 17.11.2005 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT
(FR) CIRCUIT INTEGRE A SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体集積回路
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a semiconductor integrated circuit which can prevent long-term fluctuation of a reference voltage from a voltage generating circuit. The semiconductor integrated circuit is provided with a voltage generating circuit for generating the reference voltage; a function circuit which operates by using such reference voltage; a first capacitor connected to a first node between the voltage generating circuit and the function circuit; and a switch arranged between the voltage generating circuit and the first node. The switch is turned off at least during a period when the function circuit is activated.
(FR)La présente invention concerne un circuit intégré à semi-conducteur permettant d’éviter une variation de longue durée d’une tension de référence d’un circuit générateur de tension. Le circuit intégré à semi-conducteur comprend un circuit générateur de tension qui produit la tension de référence, un circuit de fonction qui fonctionne à l’aide de cette tension de référence, un premier condensateur raccordé à un premier nœud entre le circuit générateur de tension et le circuit de fonction, et un commutateur disposé entre le circuit générateur de tension et le premier nœud. Le commutateur est mis hors tension au moins pendant une période où le circuit de fonction est activé.
(JA)電圧生成回路からの基準電圧の長期的な変動を防止することができる半導体集積回路を提供することを課題とする。本発明に係る半導体集積回路は、基準電圧を発生させる電圧生成回路と、その基準電圧を用いて動作する機能回路と、電圧生成回路と機能回路との間の第1ノードに接続された第1容量と、電圧生成回路と第1ノードとの間に設けられたスイッチとを備える。スイッチは、少なくとも機能回路が活性化されている期間中ターンオフされる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)