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1. (WO2007057994) APPAREIL ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE FULLERÈNES DÉRIVÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/057994    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/307241
Date de publication : 24.05.2007 Date de dépôt international : 05.04.2006
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    18.09.2007    
CIB :
C01B 31/02 (2006.01)
Déposants : IDEAL STAR INC. [JP/JP]; 6-3, Minami-Yoshinari 6-chome, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9893204 (JP) (Tous Sauf US).
JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY [JP/JP]; Kawaguchi Center Building 4-1-8, Honcho, Kawaguchi-shi, Saitama 3320012 (JP) (Tous Sauf US).
HATAKEYAMA, Rikizo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KANEKO, Toshiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HIRATA, Takamichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SATO, Genta [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KASAMA, Yasuhiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OMOTE, Kenji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HATAKEYAMA, Rikizo; (JP).
KANEKO, Toshiro; (JP).
HIRATA, Takamichi; (JP).
SATO, Genta; (JP).
KASAMA, Yasuhiko; (JP).
OMOTE, Kenji; (JP)
Mandataire : FUKUMORI, Hisao; 2F, Fuji Building 5-11, Kudanminami 4-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1020074 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-331145 16.11.2005 JP
Titre (EN) DERIVED FULLERENE PRODUCTION APPARATUS AND METHOD
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE FULLERÈNES DÉRIVÉS
(JA) 誘導フラーレン生成装置及び生成方法
Abrégé : front page image
(EN)This invention provides an apparatus and a method that can selectively produce any of chemically modified fullerene, heterofullerene, and inclusion fullerene in a simple manner. A 2.45-GHz microwave, which resonates, for example, with electrons being rotationally moved around magnetic lines of force, is introduced through a microwave introduction port (101), and a nitrogen gas is introduced through a derivatization object introduction port (110). A plasma stream composed of nitrogen ions N+ is formed in a high-density plasma stream generation chamber (102). Fullerene is introduced from a fullerene sublimation oven (106) into the plasma stream. A potential body (105) is disposed on the downstream side of the fullerene sublimation oven (106). Heterofullerene C60-XNX or inclusion fullerene N@C60 is selectively produced by controlling the voltage supplied to the potential body. Alternatively, both derived fullerenes may be produced to reduce the amount of hollow fullerene deposited in an unreacted state onto the potential body. After the production of both the derived fullerenes, the fullerenes may be subjected to chemical treatment or the like to extract any of the derived fullerenes and thus to enhance the content thereof.
(FR)La présente invention concerne un appareil et un procédé qui permettent de produire sélectivement et de manière simple un fullerène chimiquement modifié, un hétéro­fullerène ou un fullerène d'inclusion. Une onde hyperfréquence à 2,45 GHz qui résonne, par exemple, avec des électrons qui se déplacent en rotation autour de lignes de force magnétiques est introduite dans un port d'introduction (101) d'onde hyperfréquence et un gaz azote est introduit dans un port (110) servant à introduire un objet à dériver. Un flux de plasma composé d'ions d'azote N+ est formé dans une chambre de génération (102) de flux de plasma à haute densité. Le fullerène est introduit à partir d'un four de sublimation de fullerène (106) dans le flux de plasma. Un corps potentiel (105) est disposé sur le côté aval du four de sublimation de fullerène (106). L'hétérofullerène C60-XNX ou le fullerène d'inclusion N@C60 est produit sélectivement en contrôlant la tension appliquée au corps potentiel. En variante, les deux fullerènes dérivés peuvent être produits de façon à réduire la quantité de fullerène creux qui s'est déposé sans avoir réagi sur le corps potentiel. Après la production des deux fullerènes dérivés, les fullerènes peuvent être soumis à un traitement chimique ou similaire pour extraire l'un des fullerènes dérivés et en améliorer ainsi la teneur.
(JA) 簡単な操作で、化学修飾フラーレン、ヘテロフラーレン、内包フラーレンのいずれかを選択して生成できる装置及び方法を提供する。  マイクロ波導入口101から、例えば磁力線の回りで回転運動している電子に共鳴する2.45GHzのマイクロ波を導入すると共に、誘導対象物導入口110から窒素ガスを導入する。そして高密度プラズマ流発生室102で窒素イオンN+から成るプラズマ流を形成する。このプラズマ流中に、フラーレン昇華オーブン106からフラーレンを導入する。フラーレン昇華オーブン106の下流側には電位体105を配置している。この電位体に供給する電圧を制御することにより、ヘテロフラーレンC60-XNX又は内包フラーレンN@C60を選択的に生成する。或いは両方の誘導フラーレンを生成して、中空のフラーレンが未反応のまま電位体に堆積する量を少なくする。両方の誘導フラーレンを生成した後は、化学処理等を施していずれか一方の誘導フラーレンを抽出して、その含有率を高めるようにしてもよい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)