WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2007057892) COUCHE DE CRISTAL DE GAN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/057892    N° de la demande internationale :    PCT/IL2006/001319
Date de publication : 24.05.2007 Date de dépôt international : 15.11.2006
CIB :
C30B 9/00 (2006.01)
Déposants : MOSAIC CRYSTALS LTD. [IL/IL]; 12 Shenkar Street, P.o. Box 12172, 46733 Herzeliya Pituach (IL) (Tous Sauf US).
EINAV, Moshe [IL/IL]; (IL) (US Seulement)
Inventeurs : EINAV, Moshe; (IL)
Mandataire : ELIEZRI, Zohar; Borochov, Korakh, Eliezri & Co., 15th Floor, Atidim Tower, P.o Box 58100, Kiryat Atidim, 61580 Tel Aviv (IL)
Données relatives à la priorité :
60/737,786 17.11.2005 US
Titre (EN) GAN CRYSTAL SHEET
(FR) COUCHE DE CRISTAL DE GAN
Abrégé : front page image
(EN)A method for forming a gallium nitride crystal sheet. According to the method a metal melt, including gallium, is brought to a vacuum of 0.01 Pa or lower and is heated to a growth temperature of between approximately 860oC and approximately 870oC. A nitrogen plasma is applied to the surface of the melt at a sub-atmospheric working pressure, until a gallium nitride crystal sheet is formed on top. Preferably, the growth temperature is of 863oC, and the working pressure is within the range of 0.05 Pa and 2.5 Pa. According to a preferred embodiment, application of the plasma includes introducing nitrogen gas to the metal melt at the working pressure, igniting the gas into plasma, directing the plasma to the surface of the metal melt, until gallium nitride crystals crystallize thereon, and maintaining the working pressure and the directed plasma until a gallium nitride crystal sheet is formed.
(FR)L'invention concerne un procédé pour former une couche de cristal de nitrure de gallium, selon lequel du métal fondu contenant du gallium est soumis à un vide inférieur ou égal à 0.01 Pa et chauffé à une température de croissance oscillant entre environ 860oC et 870oC. Un plasma d'azote est appliqué à la surface de la masse fondue à une pression de service sub-atmosphérique, jusqu'à formation d'une couche de nitrure de gallium à la surface. La température de croissance est de préférence de 863oC et la pression de service varie entre 0.05 Pa et 2.5 Pa. Dans un mode de réalisation préféré, l'application du plasma comprend l'introduction d'azote gazeux dans le métal fondu à la pression de service, l'inflammation du gaz en plasma, le guidage du plasma vers la surface du métal fondu jusqu'à cristallisation du nitrure de gallium sur cette surface et le maintien de la pression de service et du plasma dirigé pour obtenir une couche de cristal de nitrure de gallium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)