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1. (WO2007057802) TRANSISTOR À NANOCIRCUIT À BASE MÉTALLIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/057802    N° de la demande internationale :    PCT/IB2006/053995
Date de publication : 24.05.2007 Date de dépôt international : 29.10.2006
CIB :
H01L 29/76 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01)
Déposants : NXP B.V. [NL/NL]; High Tech Campus 60, NL-5656 AG Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
AGARWAL, Prabhat [DE/BE]; (GB) (US Seulement).
HURKX, Godefridus, A., M. [NL/NL]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : AGARWAL, Prabhat; (GB).
HURKX, Godefridus, A., M.; (GB)
Mandataire : WHITE, Andrew, G.; c/o NXP Semiconductors, IP Department, Cross Oak Lane, Redhill Surrey RH1 5HA (GB)
Données relatives à la priorité :
05110934.6 18.11.2005 EP
Titre (EN) METAL-BASE NANOWIRE TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR À NANOCIRCUIT À BASE MÉTALLIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A metal-base transistor is suggested. The transistor comprises a first and a second electrode (2, 6) and base electrode (6) to control current flow between the first and second electrode. The first electrode (2) is made from a semiconduction material. The base electrode (3) is a metal layer deposited on top of the semiconducting material forming the first electrode. According the invention the second electrode is formed by a semiconducting nanowire (6) being in electrical contact with the base electrode (3).
(FR)La présente invention concerne un transistor à base métallique. Le transistor comprend une première et une seconde électrodes (2, 6) et une électrode de base (6) servant à commander la circulation du courant entre la première et la seconde électrodes. La première électrode (2) est constituée d’un matériau semi-conducteur. L’électrode de base (3) est une couche métallique déposée sur le matériau semi-conducteur constituant la première électrode. Selon l’invention, la seconde électrode est constituée d’un nanocircuit semi-conducteur (6) étant en contact électrique avec l’électrode de base (3).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)