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1. (WO2007056997) PROCEDE POUR REALISER UN SYSTEME DE CONTACT ENTRE UN COMPOSANT MICRO-ELECTRONIQUE ET UN SUBSTRAT SUPPORT ET ASSEMBLAGE REALISE AU MOYEN DUDIT PROCEDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/056997    N° de la demande internationale :    PCT/DE2006/002021
Date de publication : 24.05.2007 Date de dépôt international : 17.11.2006
CIB :
B23K 1/00 (2006.01)
Déposants : PAC TECH - PACKAGING TECHNOLOGIES GMBH [DE/DE]; Am Schlangenhorst 15-17, 14641 Nauen (DE) (Tous Sauf US).
AZDASHT, Ghassem [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : AZDASHT, Ghassem; (DE)
Mandataire : TAPPE, Hartmut; Advotec. Patent- und Rechtsanwälte, Beethovenstrasse 5, 97080 Würzburg (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2005 055 505.5 18.11.2005 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER KONTAKTANORDNUNG ZWISCHEN EINEM MIKROELEKTRONISCHEN BAUELEMENT UND EINEM TRÄGERSUBSTRAT SOWIE EINE MIT DEM VERFAHREN HERGESTELLTE BAUTEILEINHEIT
(EN) METHOD FOR PRODUCING A CONTACT ARRANGEMENT BETWEEN A MICROELECTRONIC COMPONENT AND A SUPPORTING SUBSTRATE AS WELL AS COMPONENT UNIT PRODUCED BY SAID METHOD
(FR) PROCEDE POUR REALISER UN SYSTEME DE CONTACT ENTRE UN COMPOSANT MICRO-ELECTRONIQUE ET UN SUBSTRAT SUPPORT ET ASSEMBLAGE REALISE AU MOYEN DUDIT PROCEDE
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Kontaktanordnung (10) zwischen einem mikroelektronischen Bauelement (11) und einem Trägersubstrat (12) sowie eine mit dem Verfahren hergestellte Bauteileinheit (24), wobei eine in Verbindungsb ereichen notwendige Wärmeenergie durch rückwärtige Beaufschlagung des Bauelements mit Laserenergie erzielt wird, ein mechanischer Verbindungskontakt (23) zwischen einander gegenüberliegenden Verbindungsflächen (17, 18) des Bauelements und des Trägersubstrats ausgebildet wird, und zumindest ein elektrisch leitender Verbindungskontakt (22) zwischen unter einem Winkel zueinander angeordneten Anschlussflächen (13, 15) des Trägersubstrats und des Bauelements durch zumindest partielles Aufschmelzen von Lotmaterial ausgebildet wird, wobei die mit dem Verfahren hergestellte Bauteileinheit zumindest eine Kontaktanordnung aufweist.
(EN)The invention relates to a method for producing a contact arrangement (10) between a microelectronic component (11) and a supporting substrate (12) as well as a component unit (24) produced by said method. According to the invention, thermal energy is produced in connecting areas by backward impingement of the component with laser energy, a mechanical connecting contact (23) is formed between opposing connecting surfaces (17, 18) of the component and the supporting substrate, and at least one electrically conductive connection contact (22) is formed between the connecting surfaces of the supporting substrate and the component (13, 15) by at least the partial melting of soldered material, said connecting surfaces being arranged in an angle to each other. The component produced by said method has at leat one contact arrangement.
(FR)L'invention concerne un procédé pour réaliser un système de contact (10) entre un composant micro-électronique (11) et un substrat support (12) ainsi qu'un assemblage (24) réalisé au moyen dudit procédé, une énergie thermique nécessaire dans des zones de jonction étant obtenue par application d'une énergie laser à l'arrière du composant, un contact de jonction mécanique (23) étant formé entre des surfaces de jonction opposées (17, 18) du composant et du substrat support et au moins un contact de connexion électroconducteur (22) étant formé par fusion au moins partielle d'une matière de soudage entre des surfaces de connexion (13, 15) du substrat support et du composant formant un angle l'une par rapport à l'autre, l'assemblage réalisé au moyen dudit procédé présentant au moins un système de contact.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)