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1. (WO2007056745) SUBSTRATS DE PLAQUETTES DE SILICIUM DOPÉES À L'ARSENIC ET AU PHOSPHORE PRÉSENTANT UNE ABSORPTION DE GAZ INTRINSÈQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/056745    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/060651
Date de publication : 18.05.2007 Date de dépôt international : 08.11.2006
CIB :
C30B 33/02 (2006.01), C30B 29/06 (2006.01)
Déposants : MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC. [US/US]; 501 Pearl Drive, P.O. Box 8, St. Peters, Missouri 63376 (US) (Tous Sauf US).
FALSTER, Robert, J. [US/GB]; (US) (US Seulement).
VORONKOV, Vladimir [RU/US]; (US) (US Seulement).
BORIONETTI, Gabriella [IT/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : FALSTER, Robert, J.; (US).
VORONKOV, Vladimir; (US).
BORIONETTI, Gabriella; (US)
Mandataire : ALLEN, Derick, E.; Senniger Powers, #1 Metropolitan Square, 16th Floor, St. Louis, Missouri 63102 (US)
Données relatives à la priorité :
11/270,790 09.11.2005 US
Titre (EN) ARSENIC AND PHOSPHORUS DOPED SILICON WAFER SUBSTRATES HAVING INTRINSIC GETTERING
(FR) SUBSTRATS DE PLAQUETTES DE SILICIUM DOPÉES À L'ARSENIC ET AU PHOSPHORE PRÉSENTANT UNE ABSORPTION DE GAZ INTRINSÈQUE
Abrégé : front page image
(EN)A process for the preparation of low resistivity arsenic or phosphorous doped (N+/N++) silicon wafers which, during the heat treatment cycles of essentially any arbitrary electronic device manufacturing process, reliably form oxygen precipitates.
(FR)La présente invention concerne un procédé de préparation de plaquettes de silicium dopées (N+/N++) au phosphore ou à l’arsenic de faible résistivité qui, pendant les cycles de traitement thermique de quasiment n’importe quel procédé de fabrication de dispositif électronique arbitraire, provoque de façon fiable des précipités d’oxygène.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)