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1. (WO2007056708) TRANSISTOR BIPOLAIRE À HÉTÉROJONCTION DOTÉ D'UNE BASE EN COMPOSÉ MÉTASTABLE COMPENSÉE EN CONTRAINTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/056708    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/060555
Date de publication : 18.05.2007 Date de dépôt international : 03.11.2006
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    07.08.2007    
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/36 (2006.01), H01L 31/20 (2006.01)
Déposants : ATMEL CORPORATION [US/US]; 2325 Orchard Parkway, San Jose, CA 95131 (US) (Tous Sauf US).
ENICKS, Darwin, G. [US/US]; (US) (US Seulement).
CHAFFEE, John, T. [US/US]; (US) (US Seulement).
CARVER, Damian, A. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ENICKS, Darwin, G.; (US).
CHAFFEE, John, T.; (US).
CARVER, Damian, A.; (US)
Mandataire : STEFFEY, Charles, E.; Schwegman, Lundberg & Woessner, P.A., P.O. Box 2938, Minneapolis, MN 55402 (US)
Données relatives à la priorité :
11/268,154 07.11.2005 US
Titre (EN) A STRAIN-COMPENSATED METASTABLE COMPOUND BASE HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR BIPOLAIRE À HÉTÉROJONCTION DOTÉ D'UNE BASE EN COMPOSÉ MÉTASTABLE COMPENSÉE EN CONTRAINTE
Abrégé : front page image
(EN)A method for pseudomorphic growth and integration of an in-situ doped, strain-compensated metastable compound base (107) into an electronic device (100), such as, for example, a SiGe NPN HBT, by substitutional placement of strain-compensating atomic species. The invention also applies to strained layers in other electronic devices such as strained SiGe, Si in MOS applications, vertical thin film transistors (VTFT), and a variety of other electronic device types. Devices formed from compound semiconductors other than SiGe, such as, for example, GaAs, InP, and AlGaAs are also amenable to beneficial processes described herein.
(FR)La présente invention concerne un procédé de croissance pseudomorphique et d’intégration d’une base (107) en composé métastable compensée en contrainte et dopée in-situ dans un dispositif électronique (100), comme, par exemple, un NPN HBT au SiGe, par placement substitutionnel d’espèces atomiques compensant la contrainte. L’invention s’applique également à des couches contraintes dans d’autres dispositifs électroniques comme les SiGe et Si contraints dans les applications MOS, les transistors à couche mince verticaux (VTFT), et divers autres types de dispositifs électroniques. Des dispositifs constitués de semi-conducteurs composés autres que le SiGe, comme, par exemple, le GaAs, l’InP, et l'AlGaAs conviennent également aux processus bénéfiques ci-décrits.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)