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1. (WO2007056019) ELIMINATION DE MATERIAUX CONTENANT DES MATIERES ORGANIQUES DES SURFACES DE SUBSTRATS DE DISPOSITIFS ELECTRONIQUES PAR ATTAQUE CHIMIQUE ET NETTOYAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/056019    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/042684
Date de publication : 18.05.2007 Date de dépôt international : 31.10.2006
CIB :
C23D 17/00 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue, Santa Clara, CA 95052-8038 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : VERHAVERBEKE, Steven; (US)
Mandataire : CHURCH, Shirley, L.; P.O. Box 81146, San Diego, CA 92138-1146 (US)
Données relatives à la priorité :
60/732,793 02.11.2005 US
11/588,093 25.10.2006 US
Titre (EN) STRIPPING AND CLEANING OF ORGANIC-CONTAINING MATERIALS FROM ELECTRONIC DEVICE SUBSTRATE SURFACES
(FR) ELIMINATION DE MATERIAUX CONTENANT DES MATIERES ORGANIQUES DES SURFACES DE SUBSTRATS DE DISPOSITIFS ELECTRONIQUES PAR ATTAQUE CHIMIQUE ET NETTOYAGE
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed herein is a method of removing an organic material from an electronic device substrate surface. The method is particularly useful when the device substrate includes exposed metal. According to the present method, an electronic device substrate surface is exposed to a solution comprising ozone (O3) at a concentration ranging from about 45 ppm to about 600 ppm in a solvent consisting of pure propionic acid or propionic acid in combination with deionized water or a carbonate having from 2 to 4 carbons. The method is particularly useful in the manufacture of large surface areas covered with device structures, such as electronic TFT flat panel displays, solar cell arrays, and structures containing light-emitting diodes. The method is also useful for removing organic materials from the surface of solid state device-containing semiconductor substrates .
(FR)La présente invention concerne un procédé permettant d'éliminer une matière organique d'une surface de substrat de dispositif électronique. Le procédé est particulièrement utile lorsque le substrat du dispositif comprend un métal nu. Selon la présente invention, une surface de substrat de dispositif électronique est exposée à une solution comprenant de l'ozone (O3) à une concentration comprise entre environ 45 ppm et environ 600 ppm dans un solvant constitué d'acide propionique pure et d'acide propionique associé à de l'eau déionisée ou à un carbonate ayant 2 à 4 carbones. Ce procédé est particulièrement utile dans la fabrication de grandes superficies couvertes de structures de dispositifs, telles que les écrans plats électroniques à matrice active, les générateurs photovoltaïques et les structures contenant des diodes électroluminescentes. Le procédé est également utile pour l'élimination de matières organiques de surfaces de substrats à semi-conducteur contenant des corps à l'état solide.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)