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1. (WO2007056013) BOITIER DE PUCES A SEMI-CONDUCTEURS HAUTE DENSITE EN TROIS DIMENSIONS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/056013    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/042664
Date de publication : 18.05.2007 Date de dépôt international : 01.11.2006
CIB :
H01L 21/48 (2006.01), H01L 23/538 (2006.01), H01L 25/065 (2006.01), H01L 25/10 (2006.01), H01L 21/66 (2006.01)
Déposants : SANDISK CORPORATION [US/US]; 601 Mcarthy Boulevard, Milpitas, CA 95035 (US) (Tous Sauf US).
YU, Cheemen [US/US]; (US) (US Seulement).
LIAO, Chih-Chin [CN/--]; (TW) (US Seulement).
TAKIAR, Hem [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : YU, Cheemen; (US).
LIAO, Chih-Chin; (TW).
TAKIAR, Hem; (US)
Mandataire : MAGEN, Burt; Vierra Magen Marcus & DeNiro, LLP, 575 Market Street, Suite 2500, San Francisco, CA 94105 (US)
Données relatives à la priorité :
11/264,889 02.11.2005 US
Titre (EN) HIGH DENSITY THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DIE PACKAGE
(FR) BOITIER DE PUCES A SEMI-CONDUCTEURS HAUTE DENSITE EN TROIS DIMENSIONS
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor package is disclosed including a plurality semiconductor die mounted on stacked and bonded layers of substrate, for example polyimide tape used in tape automated bonding processes. The tape may have a plurality of repeating patterns of traces and contact pads formed thereon. The traces each include aligned interconnect pads on the respective top and bottom surfaces of the substrate for bonding the traces of one pattern to the traces of another pattern after the patterns have been singulated from the substrate, aligned and stacked. Semiconductor die such as flash memory and a controller die are mounted on the traces of the respective patterns on the substrate. In order for the controller die to uniquely address a specific flash memory die in the stack, a group of traces on each substrate supporting the memory die are used as address pins and punched in a unique layout relative to the layout of the traces other substrates. By providing each flash memory semiconductor die on a substrate with a unique layout of address traces, each memory die may be selectively addressed by the controller die.
(FR)La présente invention concerne un boîtier à semi-conducteurs comprenant une pluralité de puces à semi-conducteurs montées sur des couches de substrat liées et empilées, par exemple une bande de polyimide utilisée dans des procédures de liaison de bande automatisée. La bande peut disposer d'une pluralité de motifs répétitifs de traces et de tampons de contacts formés dessus. Les traces incluent chacune des tampons d'interconnexion alignés sur les surfaces supérieure et inférieure respectives du substrat pour lier les traces d'un motif aux traces d'un autre motif après que les motifs ont été séparés du substrat, alignés et empilés. Les puces à semi-conducteurs, comme la mémoire flash et une puce de contrôleur, sont montées sur les traces des motifs respectifs sur le substrat. Pour que la puce de contrôleur s'adresse uniquement à une puce de mémoire flash spécifique dans la pile, un groupe de traces sur chaque substrat soutenant la puce de mémoire est utilisé comme broches d'adresse et perforé selon une disposition unique par rapport à la disposition des traces d'autres substrats. En fournissant à chaque puce à semi-conducteur de mémoire flash sur un substrat une disposition unique de traces d'adresse, chaque puce de mémoire peut être sélectivement traitée par la puce de contrôleur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)