WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2007055740) APPAREIL DE PHOTODETECTION A GUIDE D'ONDES INTEGRE VERTICALEMENT ET PROCEDES DE COUPLAGE ASSOCIES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/055740    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/020935
Date de publication : 18.05.2007 Date de dépôt international : 30.05.2006
CIB :
G02B 6/00 (2006.01), H01L 31/10 (2006.01), H01L 31/00 (2006.01)
Déposants : MASSACHUSETTS INSUTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 77 Massachusetts Avenue, Cambridge, MA 02139 (US) (Tous Sauf US).
AHN, Donghwan [KR/US]; (US) (US Seulement).
LIU, Jifeng [CN/US]; (US) (US Seulement).
MICHEL, Jurgen [DK/US]; (US) (US Seulement).
KIMERLING, Lionel, C. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : AHN, Donghwan; (US).
LIU, Jifeng; (US).
MICHEL, Jurgen; (US).
KIMERLING, Lionel, C.; (US)
Mandataire : CURRIE, Matthew, T.; GOODWIN PROCTER LLP, Exchange Place, Boston, MA 02109 (US)
Données relatives à la priorité :
11/269,355 08.11.2005 US
Titre (EN) VERTICALLY-INTEGRATED WAVEGUIDE PHOTODETECTOR APPARATUS AND RELATED COUPLING METHODS
(FR) APPAREIL DE PHOTODETECTION A GUIDE D'ONDES INTEGRE VERTICALEMENT ET PROCEDES DE COUPLAGE ASSOCIES
Abrégé : front page image
(EN)High-speed optoelectronic devices having a waveguide (180) densely integrated with and evanescently coupled to a photodetector (140, 190, 170, 195) are fabricated utilizing methods generally compatible with CMOS processing techniques. In various implementations, the waveguide consists essentially of single crystal silicon and the photoprotector contains, or consists essentially of, epitaxially grown germanium or a silicon-germanium alloy having a germanium concentration exceeding about 90% .
(FR)L'invention concerne des dispositifs optoélectroniques à grande vitesse comprenant un guide d'ondes (180) à intégration dense et couplé de manière évanescente à un photodétecteur (140, 190, 170, 195), ces dispositifs étant réalisés selon des procédés généralement compatibles avec des technologies de traitement CMOS. Dans plusieurs modes de réalisation, le guide d'ondes est sensiblement du silicium monocristallin et le photodétecteur contient ou comporte essentiellement du germanium à croissance épitaxiale ou un alliage de silicium-germanium dont la concentration en germanium dépasse environ 90 %.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)